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轻风帥飘影

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三极管的饱和及深度饱和状态 2018-03-04 17:09

三极管的饱和及深度饱和状态。三极管饱和问题总结：1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。2.集电极电阻越大越容易饱和；3.饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不受IB之控制

h1654155971.7688

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半导体器件内部的工作原理（动画讲解） 2020-05-05 08:15

在N型半导体中，自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子;在P型半导体中，空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。

西西

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