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发布了文章 2023-5-24 09:41

碳化硅MMIC上的氮化镓：高功率AESA雷达设计

除了导致更高的输出频率范围外，对于地面雷达来说，这是一个关键的设计考虑因素，地面雷达越来越多地使用有源电子扫描阵列（AESA）技术，以在更小的封装中封装更高的功率。矩阵节点格式的固态设计使AESA能够提供更宽的视野，从而提高准确性和可靠性。...

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发布了文章 2023-5-24 09:40

GaN HEMT大信号模型

GaN HEMT 为功率放大器设计者提供了对 LDMOS、GaAs 和 SiC 技术的许多改进。更有利的特性包括高电压操作、高击穿电压、功率密度高达 8W/mm、fT 高达 25 GHz 和低静态电流。另一方面，GaN RF 功率器件具有自...

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发布了文章 2023-5-24 09:37

用于脉冲雷达应用的氮化镓HEMT

这些优势是目前取代雷达常用的高功率、大带宽行波管（TWT）放大器的趋势背后的原因。GaN HEMT消除了由于阴极耗尽而导致的TWT放大器固有的使用寿命相对较短的限制，长时间存储后开启时TWT损坏的风险，以及由于管中的所有组件都是潜在的单点硬...

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发布了文章 2023-5-24 09:35

基于碳化硅的解决方案实现公交车的电气化

像任何其他电动汽车一样，公共汽车必须克服里程焦虑，因为它们必须能够在不需要充电的情况下行驶最短的距离。他们还必须能够找到距离合理的充电站并能够快速充电。无论是否电气化，公共交通必须始终方便。在城市环境中，里程焦虑不是一个因素，但任何运营商都...

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发布了文章 2023-5-24 09:33

碳化硅：成功的纯电动汽车动力总成的基础

碳化硅更高的开关频率和更低的固有损耗提高了系统效率。在双向板载充电器中，SiC 支持使用图腾柱 PFC 拓扑，与基于 Si 的器件相比，该拓扑结构非常高效且具有成本效益。DC/DC 侧将开关频率纳入 150kHz 至 300kHz 范围，比...

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发布了文章 2023-5-24 09:32

BLOS对流层散射通信入门

尽管对流层散射（对流层散射或对流）通信技术自 1950 年代以来一直存在，并在 1960 年至 2002 年期间被美国军方使用，但在对战术卫星通信（Satcom）可靠性的担忧之后，这种传统技术正在复兴。几十年来，卫星是一种可靠和安全的通...

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发布了文章 2023-5-24 09:31

使用表面贴装功率器件处理热量

随着电子应用继续以更小的设备尺寸实现更高的性能，组件也朝着更高的功率密度迈进。反过来，这意味着我们的应用产生的热量比以往任何时候都多。不受控制或管理不善的热量是电子系统故障的主要原因之一，这使得实现良好热管理的设计时间和精力花得值。...

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发布了文章 2023-5-24 09:27

碳化硅电源的设计注意事项

碳化硅（SiC）是一种成熟的器件技术，在 900 V 至 1，200 V 以上的高压、高开关频率应用中，与硅（Si）技术（包括硅超结（SJ）和绝缘栅双极晶体管（IGBT））相比具有明显的优势。1 最近推出的 650 V Si...

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发布了文章 2023-5-24 09:24

了解如何在SiC栅极驱动器设计中使用铁氧体磁珠

铁氧体磁珠通常与开关晶体管和高功率电子设备一起使用，以滤除电源线中的噪声，在插入电路时采用磁性材料产生损耗电感。虽然铁氧体磁珠本身的设计可能相对简单（例如，奇异孔、复数孔/匝、环形、螺线管），但其应用设计考虑因素可能很复杂。从PCB上的电源...

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发布了文章 2023-5-24 09:21

使用Wolfspeed碳化硅MOSFET对常见拓扑进行建模

现在，工程师比以往任何时候都更多地选择基于碳化硅（SiC）的产品，因为它们比基于硅（Si）的组件具有更高的效率、功率密度和更好的整体系统成本效益。除了SiC和Si之间常见的基本设计原则，以及需要牢记SiC的不同特性、功能和优势之外，...

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发布了文章 2023-5-20 17:05

碳化硅提高双转换UPS效率和功率密度

设计可靠、高效且具有成本效益的UPS解决方案是数据中心等商业设置的关键考虑因素，其中通常使用双转换系统每周24天，每天<>小时提供恒定电压和恒定频率。...

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发布了文章 2023-5-20 17:02

使用SpeedFit 2.0设计模拟器快速启动基于碳化硅的设计

了解电源中碳化硅（SiC） MOSFET 和肖特基二极管的在线行为是设计过程中的关键组件。与硅基技术相比，作为一项相对较新的技术，可视化这些碳化硅组件的性能可以帮助设计人员更轻松地利用这项技术。...

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发布了文章 2023-5-20 17:00

碳化硅与工业应用的未来

首先，让我们简要介绍一下碳化硅到底是什么，以及它与传统硅的一些不同之处。关于SiC的一个有趣的事实是，碳化硅的碳化物成分不是天然存在的物质。事实上，碳化物最初是从陨石的碎片中发现的。其独特的性能非常有前途，以至于今天，我们合成了用于碳化硅功...

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发布了文章 2023-5-20 16:57

解析适用于SiC栅极驱动的PCB布局方法

在为任一高功率或高电压系统设计印刷电路板 (PCB) 布局时，栅极驱动电路特别容易受到寄生阻抗和信号的影响。对于碳化硅 (SiC) 栅极驱动，更需认真关注细节，因为其电压和电流的转换速率通常比硅快得多。遵循指定 PCB 设计指南，可以帮助减...

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发布了文章 2023-5-20 16:56

使用行业标准无底板封装的碳化硅技术实现系统升级

本文探讨了全新的 Wolfspeed WolfPACK 系列无碳化硅无基板功率模块，并展示了这种多功能且可扩展的模块方法如何实现当前硅（Si）设计的快速升级并缩短上市时间。...

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