发 帖  
经验: 积分:10276
QC FGH
湖南省 长沙市 行业服务/咨询顾问
  • 发布了文章 2023-5-24 10:30
    电池化学的行业名称通常是指电极材料。例如,在锂离子电池中,阴极通常包括锂金属氧化物颗粒和阳极石墨颗粒。两者都由膜物理隔开以防止内部短路,但渗透有电解质以帮助Li+离子的运动。在放电过程中,电子通过负载从负极传播到电池外部的正极,而Li+离子...
    0
    978次阅读
    0条评论
  • 发布了文章 2023-5-24 10:28
    虽然最常见的电动汽车充电器类型是插入家中标准墙上插座的充电器,但不同的交流功率水平和直流快速充电都有标准(图 1)。前两个充电功率级别基于交流电源,并使用电动汽车的车载充电器 (OBC) 将交流电从传统交流电网转换为直流电。...
    0
    1994次阅读
    0条评论
  • 发布了文章 2023-5-24 10:27
    当电动汽车使用合适的电缆连接到 1 级或 1 级墙壁插座或电动汽车供电设备 (EVSE) 时,OBC处理从基础设施电网为高压 (HV) 直流电池组充电的关键功能。尽管看起来很简单,但此功能还有更多功能:...
    0
    1013次阅读
    0条评论
  • 发布了文章 2023-5-24 10:24
    有两种方法可以为电动汽车充电——通过 1 级或 2 级交流车载充电器 (OBC),通常在家中过夜或通过直流快速充电器 (DCFC)。在交流充电中,OBC 将车辆中的交流电转换为直流电,但通过直流快速充电,转换发生在充电站中。DCFC 可以将...
    0
    1955次阅读
    0条评论
  • 发布了文章 2023-5-24 10:21
    碳化硅解决方案满足了依赖半导体的可再生能源系统的所有需求,因为它们可以提高功率密度、降低开关损耗和开关频率。Wolfspeed 碳化硅解决方案使太阳能功率半导体能够实现更轻、更小、更高效的太阳能逆变器,这些逆变器可在环境温度波动、高湿度和其...
    0
    741次阅读
    0条评论
  • 发布了文章 2023-5-24 10:20
    SiC上的GaN的主要优点是其导热性优势。SiC上的GaN的导热性是Si上的GaN的三倍,允许器件在更高的电压和更高的功率密度下运行。Palmour解释说:“如果射频设备每平方厘米输出高瓦特,你也必须每平方厘米耗散高瓦特。导热性越好,就越容...
    0
    572次阅读
    0条评论
  • 发布了文章 2023-5-24 10:18
    5G还围绕提供满足带宽、延迟和数据速度新要求的连接所需的技术和基础设施设计带来了新的思维。它不仅需要在宏观层面实现致密化——这意味着更多的基站——还需要在设备层面实现功率致密化。当今的电信基础设施设计需要最符合许多应用标准的技术,包括热量、...
    0
    625次阅读
    0条评论
  • 发布了文章 2023-5-24 10:15
    碳化硅(SiC)已经成为一个明确的选择,因为它已经成熟并且是第三代。基于 SiC 的 FET 具有许多性能优势,特别是在效率、更高的可靠性、更少的热管理问题和更小的占位面积方面。这些适用于整个功率谱,不需要彻底改变设计技术,尽管它们可能需要...
    0
    1196次阅读
    0条评论
  • 发布了文章 2023-5-24 10:11
    RF LDMOS之于早期蜂窝网络,氮化镓(GaN)之于现代和高频应用。与砷化镓(GaAs)和Si LDMOS相比,GaN长期以来一直具有难以超越的优势:...
    0
    995次阅读
    0条评论
  • 发布了文章 2023-5-24 10:10
    本文旨在为读者提供与将服务和基站从4G升级到5G就绪和5G技术相关的需求变化和设计挑战的背景。讨论中包括一些关键细节,这些细节解释了mMIMO天线如何成为新常态,以及新的通信技术(如GaN-on-SiC功率放大器)对于部署符合5GPP规范和...
    0
    848次阅读
    0条评论
  • 发布了文章 2023-5-24 09:57
    虽然MIMO已经在一些4G基站上找到,通常使用两个或多个发射器和接收器一次发送和接收更多数据,但mMIMO通过显着增加单个阵列上的天线数量来扩展这一概念。...
    0
    1167次阅读
    0条评论
  • 发布了文章 2023-5-24 09:55
    基于 SiC 的解决方案具有灵活性和适应性,有助于满足当今对快速电动汽车充电基础设施日益增长的需求,无论它是否是双向充电站。无论如何,它们在任何情况下都是最佳选择:以最小的外形尺寸和最低的成本快速提供最大的功率,使充电足够通用,从而克服可能...
    0
    699次阅读
    0条评论
  • 发布了文章 2023-5-24 09:54
    使用MOSFET和IGBT的AC/DC转换器有几种常见的硅(Si)实现。硅MOSFET的问题在于,阻断电压不可能超过650 V,同时保持芯片尺寸小并获得高开关效率。虽然采用硅IGBT的两电平拓扑可以提供高达1.2 kV的电压,但尺寸和效率仍...
    0
    1489次阅读
    0条评论
  • 发布了文章 2023-5-24 09:50
    为了在电动汽车市场取得成功,公司需要扩大续航里程并降低物料清单 (BOM) 成本,以有效地与根深蒂固的内燃机 (ICE) 竞争。为了实现更大的续航里程,制造商需要更高容量的电池系统,这可以通过增加电池尺寸或提高功率效率来实现。不幸的是,增加...
    0
    590次阅读
    0条评论
  • 发布了文章 2023-5-24 09:45
    Wolfspeed 的 GaN on SiC 解决方案正在彻底改变射频功率放大器的前驱动器、驱动器和输出级。具体而言,新的高电子迁移率晶体管(HEMT)产品组合现在允许发射器链在单个偏置电压下以更高的效率工作,同时在很宽的温度范围内提供更多...
    0
    887次阅读
    0条评论
ta 的专栏

成就与认可

  • 获得 172 次赞同

    获得 0 次收藏

谁来看过他

关闭

站长推荐 上一条 /7 下一条

返回顶部