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白晓辉

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IGBT高温反偏测试方法
2018-6-20 18:46

概述IGBT高压反偏试验是在一定温度条件（125℃）下，按照规定的时间和电压，对IGBT施加反偏电压，从而对器件进行质量检验和耐久性评估的一种主要试验方法。测试台是专为IGBT模块进行高温反偏试验而进行设计,是IGBT出...

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功率器件雪崩耐量测试
2018-6-20 12:06

一、概述半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时，电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减，此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量，表示施加电压时的抗击穿性。对于那些在元件两端产生较大尖峰电压的应用场合，就要考虑器件的雪崩能量，电...

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