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  • 对 MOSFET 的栅极进行充电和放电需要同样的能量, 无论充放电过程快或慢 (栅极电压的上升和下降)。因 此,MOSFET 驱动器的电流驱动能力并不影响由 MOS- FET 栅极的容性负载产生的驱动器功耗。
    VINi_fcsde_sh
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  • SiC MOSFET与传统硅MOSFET在短路特性上有所差异,以英飞凌CoolSiC™ 系列为例,全系列SiC MOSFET具有大约3秒的短路耐受能力。可以利用器件本身的这一特性,在驱动设计中考虑短路保护功能,提高系统可靠性。
    QjeK_yflgybdt
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