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a lo
河北省 秦皇岛市 测试测量
  • 当MOS管电压上升到A点时,输出整流管导通,初级励磁电感箝位于V1. 此时,漏感和杂散电容谐振, 由于变压器线圈存在直流和交流电阻,该振荡位阻尼振荡,消耗了漏感中的能量在B点时,励磁电感中电流下降为零,次级整流管自然截止,励磁电感上电压下降为零.
    0BFC_eet_china
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  • 在看到MOSFET数据表时,你一定要知道你在找什么。虽然特定的参数很显眼,也一目了然(BVDS、RDS(ON)、栅极电荷),其它的一些参数会十分的含糊不清、模棱两可(IDA、SOA曲线),而其它的某些参数自始至终就毫无用处(比如说:开关时间)。
    小刘
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  • 电机是全球耗电大户,尽管电压很高,硅仍然是主流。不过,GaN 和 SiC 都在向高效率变频驱动的电机驱动系统进军。但这个市场非常保守,适应新技术的速度很慢,到 2025 年将有 10%到 15%的替代率。
    电子设计
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