650V GaN FET 较低的寄生电容降低了开关损耗。此外,与 650-V Si MOSFET 相比,650-V GaN FET 在相同芯片尺寸内具有更低的导通电阻 (R on ),并且 GaN FET 消除了反向恢复损耗。使用 GaN FET 将开关电源的峰值效率提高到 99%。1-4尽管 GaN 成本仍然是行业广泛采用的障碍,但 GaN FET 可实现的性能(包括效率和密度改进)最终会对开关电源解决方案的总成本产生积极影响。本文详细研究了基于 GaN 的 PFC 整流器,回顾了 GaN 无桥 PFC 拓扑、控制和性能。
杨军
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