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电子工程师 123
安徽省 合肥市 技术支持
  •   查看数据表或单价的工程师只能得到一个可能无法反映整个现实的部分故事,其中还包括生产线和现实世界的运营。通过在各种整流器上使用这种新封装,从汽车级模型到更传统的模型,甚至一些超快芯片(STTH802SFY 和 STTH802SF),我们在帮助创新设计变得更小、更高效和更环保方面发挥了作用。
    KOKOKO123
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  • 2022年6月9日,致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布,其旗下诠鼎推出基于万代半导体(Alpha and Omega Semiconductor Limited,简称AOS)AOZ7200CI芯片的高效率主动式桥式整流器电源方案。     图示1-大联大诠鼎基于AOS产品的高效率主动式桥式整流器电源方案的展示板图   当前的电源产品正向着轻薄、小巧的方向发展。然而体积的缩小意味着产品集成度的提高以及散热面积的减少。对于这个问题,一些厂商选择使用氮化镓功率器件来取
    21克888
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  • 有源前端整流器 介绍针对电动汽车充电器的最佳SiC功率拓扑和调制决策的设计技巧,利用指导拓扑和调制决策,有助于消除不可行选项,转而关注那些可能表现良好的选项。 【导读】介绍针对电动汽车充电器的最佳SiC功率拓扑和调制决策的设计技巧,利用指导拓扑和调制决策,有助于消除不可行选项,转而关注那些可能表现良好的选项。 ▎引言 ▎ 电动汽车的蓄电池充电器需要在电网连接和蓄电池之间进行电流隔离。因此,电动汽车充电器几乎总是有
    suanjunihao
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  • 在我们工作中,经常会遇到因为整流二极管损坏,导致设备停止运行,面对这样的情况,不仅降低了效率,还提高了成本,那我们该如何处理这个问题呢?今天小编就来讲一下整流二极管损坏的6个原因,可以让大家提前做好防护,减少因整流二极管损坏而增加的成本。
    深圳弗瑞鑫电子有限公司
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  • 电机驱动系统的独特和特定要求需要一种新的 IGBT 设计方法。使用正确的 IGBT 技术,可以创建更适合满足这些需求的模块。这是英飞凌采用其最新一代 IGBT 技术 IGBT7 所采用的方法。在芯片级,IGBT7 使用微图案沟槽 (MPT),其结构有助于降低正向电压并增加漂移区的导电性。对于具有中等开关频率的应用,例如电机驱动器,IGBT7 比前几代产品显着降低了损耗 。
    张鑫
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  •   稳压电源将不稳定的交流电(交流电)转换为恒定的直流电(直流电)。稳压电源用于确保输出保持不变,即使输入发生变化。
    Baekhyn0506
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  • Nexperia在 TO-247 和专有 CCPAK 表面贴装封装中采用下一代高压 GaN HEMT H2 技术的新系列GaN FET 解决方案将主要面向汽车、5G 和数据中心应用。Nexperia 还发布了具有 120 V、150 V 和 200 V 反向电压的硅锗 (SiGe) 整流器新解决方案,这些解决方案结合了肖特基同类产品的高效率和快速恢复二极管的热稳定性。
    李辉
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  • 这是低正向压降整流器的电路图。一个 TMOS 功率 FET (Q1) 和一个 LM393 比较器提供了一个高效整流器电路。
    chencui
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  • 使用GaN设计PFC整流器 2022-08-05 08:04
    650V GaN FET 较低的寄生电容降低了开关损耗。此外,与 650-V Si MOSFET 相比,650-V GaN FET 在相同芯片尺寸内具有更低的导通电阻 (R on ),并且 GaN FET 消除了反向恢复损耗。使用 GaN FET 将开关电源的峰值效率提高到 99%。1-4尽管 GaN 成本仍然是行业广泛采用的障碍,但 GaN FET 可实现的性能(包括效率和密度改进)最终会对开关电源解决方案的总成本产生积极影响。本文详细研究了基于 GaN 的 PFC 整流器,回顾了 GaN 无桥 PFC 拓扑、控制和性能。
    杨军
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  • 在现代,随着EV(电动汽车)和 HEV(混合动力电动汽车)领域的所有进步对具有高功率密度和效率的转换器的需求已经增加,尤其是在电动汽车充电点的并网系统中。WBG(宽带隙)器件满足所有这些要求,因为它们具有低损耗和快速开关能力以及非常好的热稳定性,但由于成本高,这些器件并未广泛用于开发转换器 。
    李丹
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  • 无变压器电源广泛用于控制交流应用中的电子元件,例如 TRIAC 和 SCR。这些应用中使用的整流器电路类型(半波或全波)至关重要。事实上,在半波整流器的情况下,交流电压的两根导线中的一根应连接到输出端可用的直流电压的接地端。在全波整流器的情况下,接地端子将在半个周期连接到零线,在另一个周期连接到交流输入电压的线路。
    李雪
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  • 加热电路做分流控制 2022-08-02 17:18
    对于加热电路来说整个电路都会因为PWM而产生一个电压上升的情况,用示波器采集电路 发现即使GND也会产生这样一个上升的尖峰,从电源的角度来看由于电源供电要想供应给电路板,因此会产生这样的问题。 完全由寄生电感产生的尖峰,看你只需要的是PWM+RC积分产生电压,那么完全可以这样做: 降低PWM频率,到一个比较低的值,这样,尖峰产生的误差就完全可以忽略。 电阻适当减少,增加PWM产生环节的电流,然后电阻增加箝位二极管,把尖峰箝位到
    开山师傅
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  • 在设计RF电路的过程中,需要考虑很多方面的问题最后才能设计出一个我们需要的理想的射频电路,在这个过程中,滤波器是非常高频使用的,这个大家都知道,但是抗混叠滤波这个概念却不是一定都很熟悉。抗混叠滤波器本质上是一个低通滤波器它的作用是输出电平中把混叠频率分量降低到微不足道的程度。滤波是一种我们往往视为当然的常见过程。 我们在打电话时,接收器滤除其它所有信道,使我们仅仅接收到特定的信道。当我们调节立体声系统的
    ben111
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  • 在本文中,我们将了解降压转换器并使用 555 定时器和设计一个非常简单的升压转换器IRFZ44N,N 沟道 MOSFET。您可以在这里查看简单有趣的电力电子电路。
    chencui
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  • 使用继电器或者IGBT y以上电路就是使用PWM控制IGBT快速开关实现控制大电流的例子。 IGBT是以GTR为主导元件,MOSFET为驱动元件的达林顿结构的复合器件。其外部有三个电极,分别为G-栅极,C-集电极,E-发射极。 在IGBT使用过程中,可以通过控制其集-射极电压UCE和栅-射极电压UGE的大小,从而实现对IGBT导通/关断/阻断状态的控制。 1)当IGBT栅-射极加上加0或负电压时,MOSFET内沟道消失,IGBT呈关断状态。 2)当集-射极电压UCE<0时,J3的PN结处于反偏,IGBT呈反向阻
    开山师傅
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