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  • 发布了文章 2022-12-20 10:59
    在汽车向电动化、智能化和网联化方向发展的浪潮下,新能源汽车和智能驾驶逐渐成为未来汽车工业的方向,我国汽车传感器市场规模增长显著。国海证券预测,预计2025年中国乘用车汽车传感器市场规模有望达1003.8亿元,2021-2025年CAGR达3...
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  • 发布了文章 2022-12-20 10:41
    太赫兹通信是6G时代探索更大带宽、全新频谱资源最具潜力的技术。近来,诺基亚贝尔在太赫兹频段超高速无线传输研究中取得丰硕成果,通过创新的空中接口、基于人工智能的无线接收机和多层 MIMO(多输入多输出)等一系列技术。...
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  • 发布了文章 2022-12-20 10:02
    研究人员尝试了使用可见光、近红外(NIR)和中红外(MIR)的光学技术以及非光学技术测量血糖浓度。然而,散射现象和较低带宽与血液中葡萄糖的相关性较差。同时,中红外的基本限制是它只能在反射模式下使用,因为它在人体组织中的穿透深度有限,所以无法...
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  • 发布了文章 2022-12-20 09:57
    在过去的十多年里,光子学在近红外(NIR)和中红外(MIR)波长的功能器件方面展现出广阔的应用前景,引起了众多研究人员的兴趣。其中,光调制器具有信号开关、路由切换、数据编码、相敏探测等功能,是光子链路和传感领域的重要组成器件。...
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  • 发布了文章 2022-12-19 17:51
    Convergent Photonics使用CoS(Chip-on-submount)封装形式的产品,提高焊接设备和先进手术器械中激光器模块的光功率,并缩小模块尺寸;...
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  • 发布了文章 2022-12-19 17:23
    OG0VE CMOS 图像传感器采用了基于豪威集团 OmniPixel3-GS 技术的 3.0 微米像素。凭借全局快门像素架构和出色的低光灵敏度,这款传感器可用于任何需要即时定位与地图构建(SLAM)、手势检测、头部和眼球追踪以及深度和运...
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  • 发布了文章 2022-12-19 11:30
    中国科大郭光灿院士团队在磁光力混合系统研究方面取得新进展。该团队的董春华教授研究组将光力微腔与磁振子微腔直接接触,证明该混合系统支持磁子-声子-光子的相干耦合,进而实现了可调谐的微波-光波转换。...
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  • 发布了文章 2022-12-19 10:42
    许多光子量子信息处理系统的规模受到整个集成光子电路中量子光通量的限制。光源亮度和波导损耗是片上光子通量受限的根本因素。尽管在超低损耗芯片级光子电路和高亮度单光子源方面分别取得了实质性进展,但这些技术的集成仍然难以实现。...
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  • 发布了文章 2022-12-19 10:38
    利用碳纳米管包裹的棉和氨纶纱线,通过定制纺纱设备制造的电极如图1a所示。首先,研究人员将两个碳纳米管阵列安装在纺丝装置的上料区。芯棉和氨纶纱线穿过送料筒的内管。芯棉和芯纱插入内管的直径为0.5 cm,以适应多种纱线的纺织。为了确保顺利进纱,...
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  • 发布了文章 2022-12-16 14:55
    研究人员首先采用氢气退火处理得到具有表面台阶高度约为0.5nm的碳化硅衬底,然后以硅烷为气体催化剂,乙炔作为碳源,在1300°C条件下,生长出高质量单层石墨烯。该温度条件下衬底表面台阶依然可以保持在0.5nm以下。...
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  • 发布了文章 2022-12-16 14:54
    公司的角色是MEMS纯代工厂商,为下游各领域客户提供优质的工艺开发及晶圆制造服务,公司并不会去主动规划收入结构,但会根据相关应用领域当前及未来的需求展望在产能、工艺、团队等方面做一些倾向性准备。MEMS是万物互联、人工智能时代的基础器件,公...
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  • 发布了文章 2022-12-16 14:38
    EM1820 / EM1821屏下环境光传感器用于测量可见光的密度,能够对红外光进行阻隔。该传感器的光谱响应仿照人眼对光感应的特性来设计,并且对可见光的测量精度不受光照强度影响。...
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  • 发布了文章 2022-12-16 14:27
    微流控芯片体积小、清晰且易于在显微镜下看到,因此允许研究人员实时观察心脏在病发后发生的功能变化,包括心律失常/心律不齐和收缩功能障碍。...
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  • 发布了文章 2022-12-16 10:06
    2021年诺贝尔生理学或医学奖授予Ardem Patapoutian教授发现新的机械敏感离子通道,并揭示了其在触觉感受器中的关键作用机制。机械门控离子通道位于细胞膜上的机械力受体,它能够被挤压、拉伸、流体剪切力等不同形式的机械力激活并拉动离...
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  • 发布了文章 2022-12-15 16:45
    采用如图2所示工艺制备获得石墨烯纳米孔。首先,通过低压化学气相沉积法在硅片两侧沉积200 nm的低应力氮化硅(Si3N4)薄膜。随后,通过光刻与反应离子刻蚀(RIE)工艺在背面Si3N4薄膜上刻蚀出硅基体释放窗口。接着使用氢氧化钾(KOH)...
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