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技术资讯 I 3D-IC 中硅通孔TSV 的设计与制造 2022-11-17 17:58

本文要点：3D集成电路需要一种方法来连接封装中垂直堆叠的多个裸片由此，与制造工艺相匹配的硅通孔（Through-SiliconVias，TSV）设计应运而生硅通孔设计有助于实现更先进的封装能力，可以在封装的不同部分混用不同的通孔设计3D集成电路或2.5D封装方法，以及新的处理器和ASIC，都依赖于以某种方式来连接封装上相互堆叠的裸片。硅通孔是一种主要的互连技

深圳(耀创)电子科技有限公司

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电子封装原理与技术芯片制造的挑战 2022-12-07 11:26

目前制作硅通孔的主要手段有湿法刻蚀,激光加工和干法刻蚀(深反应离子刻蚀, DRIE )三种。

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使用硬掩模进行更精细的硅通孔蚀刻 2022-06-15 17:22

引言随着对多功能移动消费电子设备需求的增加，半导体芯片互连密度的复杂性不断增加。传统的芯片到封装集成(CPI)使用引线键合将键合焊盘互连到封装引线。随着芯片规模向原子级发展，采用硅通孔(TSV)技术的芯片间互连成为一种极具吸引力的潜在解决方案，可实现更高的性能和更低的制造成本。穿过硅芯片的垂直电互连可以缩短芯片间互连的长度，并实现更紧凑的CPI互连结构。在TSV制造中，硅中具有受控侧壁轮廓的高深宽比结构对于纳米和微米尺

华林科纳半导体设备制造

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详解TSV（硅通孔技术）封装技术 2016-10-12 18:30

硅通孔技术（Through Silicon Via， TSV）技术是一项高密度封装技术，正在逐渐取代目前工艺比较成熟的引线键合技术，被认为是第四代封装技术。TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互连。硅通孔技术可以通过垂直互连减小互联长度，减小信号延迟，降低电容/电感，实现芯片间的低功耗，高速通讯，增加宽带和实现器件集成的小型化。

至少

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什么是TSV封装？TSV封装有哪些应用领域？ 2018-08-14 15:39

硅通孔技术（Through Silicon Via， TSV）技术是一项高密度封装技术，正在逐渐取代目前工艺比较成熟的引线键合技术，被认为是第四代封装技术。TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互连。硅通孔技术可以通过垂直互连减小互联长度，减小信号延迟，降低电容/电感，实现芯片间的低功耗，高速通讯，增加宽带和实现器件集成的小型化。基于TSV技术的3D封装主要有以下几个方面优势：

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TSV工艺流程与电学特性研究 2022-06-16 14:02

本文报道了TSV过程的细节。还显示了可以在8-in上均匀地形成许多小的tsv(直径:6 m，深度:22 m)。通过这种TSV工艺的晶片。我们华林科纳研究了TSV的电学特性，结果表明TSV具有低电阻和低电容；小的TSV-硅漏电流和大约83%的高TSV产率。

华林科纳半导体设备制造

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TSV的工艺流程和关键技术综述 2023-02-17 17:21

TSV 是目前半导体制造业中最为先进的技术之一，已经应用于很多产品生产。实现其制程的关键设备选择与工艺选择息息相关，在某种程度上直接决定了 TSV 的性能优劣。

jf_VdcjRWH9

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TSV关键工艺设备及特点 2023-02-17 10:23

TSV 是目前半导体制造业中最为先进的技术之一，已经应用于很多产品生产。实现其制程的关键设备选择与工艺选择息息相关，在某种程度上直接决定了 TSV 的性能优劣。本文笔者在综述 TSV 的工艺流程和关键技术基础上 , 对其中深孔刻蚀、气相沉积、通孔填充、化学机械抛光(CMP)等几种关键工艺设备进行了详细介绍，对在确保满足生产工艺要求的前提下不同设备的选型应用及对设备安装的厂务需求提出了相关建议，同时对 TSV 设备做出国产化展望。

dyzacxahj059

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深度解读TSV 的工艺流程和关键技术 2017-11-24 16:23

要实现三维集成，需要用到几个关键技术，如硅通孔（TSV），晶圆减薄处理，以及晶圆/芯片键合。TSV 互连具有缩短路径和更薄的封装尺寸等优点，被认为是三维集成的核心技术。

7Ehm_appic_cn

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