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昭谦

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漏电流和寄生电容引起的DRAM故障识别 2020-04-08 16:19

DRAM存储单元（图1 （a））在电源关闭时会丢失已存储的数据，因此必须不断刷新。存储单元在数据丢失前可存储数据的时间，即保留时间，是DRAM的一个关键特性，保留时间的长短会受到漏电流的限制。

西西

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关于3D超级DRAM技术简单剖析 2018-10-28 10:17

就算3D NAND的每位元成本与平面NAND相比较还不够低，NAND快闪存储已经成功地由平面转为3D，而DRAM还是维持2D架构;在此同时，DRAM制程的微缩也变得越来越困难，主要是因为储存电容的深宽比（aspect ratio）随着元件制程微缩而呈倍数增加。

lyj159

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一文解 DRAM 中Cells 的组织方式 2020-09-22 15:01

在DRAM Storage Cell章节中，介绍了单个 Cell 的结构。在本章节中，将介绍 DRAM 中 Cells 的组织方式。为了更清晰的描述 Cells 的组织方式，我们先对上一章节中的 DRAM Storage Cell 进行抽象，最后得到新的结构图，如下： 1. Memory Array DRAM 在设计上，将所有的 Cells 以特定的方式组成一个 Memory Array。本小节将介绍 DRAM 中是如何将 Cells 以特定形式的 Memory Array 组织起来的。首先，我们在不考虑形式的情况下，最简单的组织方式，就是在一个 Bitline 上，挂接更多的

西西

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为了延长DRAM存储器寿命必须短时间内采用3D DRAM 2017-03-17 09:42

为了要延长DRAM这种内存的寿命，在短时间内必须要采用3D DRAM解决方案。什么是3D超级DRAM （Super-DRAM）？为何我们需要这种技术？以下请见笔者的解释。

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