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研发 常州中海电力科技有限公司
江苏 常州 设计开发工程师
  • igbt并联均流 2017-11-09 15:19
    GBT 是三端器件,芯片内部结构包含有栅极、集电极和发射极,等效电路如图2-1所示,在IGBT的栅极G和发射极E之间加+15V标准电压,则IGBT导通,如果集电极有上拉电阻,集电极和发射极电压将会变为0.2V,即集电极与发射极之间由于门极加入正电压而成低阻状态使得IGBT 饱和导通; 若在IGBT 的栅极G 和发射极E 之间加入-15V 则IGBT 反向截止,加入负压而不是OV 的目的是使IGBT 可快速而可靠的关断,对IGBT 实际应用有重要意义。
    倩倩
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  • 7805稳压电源电路图 2007-11-25 23:28
    7805稳压电源电路图: 7805管脚图 7805典型应用电路图:
    电子工程师
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    电子工程师
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