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李乐

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研发常州中海电力科技有限公司

江苏常州丨设计开发工程师

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PCB高速信号的频谱是怎样的 2019-09-23 14:11

可见数字信号的频谱并不局限于其时钟频率，而是覆盖很宽的频率范围。

周灿金

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如何优化差分电路PCB设计的若干要点 2018-04-29 09:29

当提到通信系统时，比起单端电路，差分电路总是能提供更加优良的性能。它们具有更高的线性度、抗共模干扰信号性能等。但是，对于差分电路还是有很多谜团.....

YCqV_FPGA_EETre

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cd40106应用电路 2017-11-06 17:47

双稳态电路是我们经常用到的一种电路方式。它常被用于各种电路中作为单键控制开关用。这里介绍一个由CD40106搭成的双稳态电路，供大家参考。CD40106的应用电路如图1所示以及计算公式，另外还有切换时间波形。

小茗技术员

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LLC技术已经普及了，再不会就要落后啦！ 2017-12-11 14:52

LLC谐振变换的直流特性分为零电压工作区和零电流工作区。这种变换有两个谐振频率。一个是Lr 和Cr的谐振点，另外一个谐振点由Lm, Cr以及负载条件决定。负载加重，谐振频率将会升高。

kj4N_mouserelec

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LLC单路/多路输出同步整流电路 2011-11-30 17:03

LLC单路/多路输出同步整流电路,我们的同步整流方案非电流型,也非电压型.

wuchang555

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三电平LLC谐振变换器原理图 2012-03-29 11:37

三电平 LLC谐振变换器原理图通过改变开关频率来控制输出电压。也就是说是频率调制方式而不是传统的脉宽调制方式。D．和D，起钳位作用，用来保证s．和s。关断后承受的电压应力为

辉子无敌1

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基于LLC隔离的光伏并网逆变器设计方案 2013-12-02 14:29

传统光伏并网逆变器使用工频变压器进行隔离，体积大、笨重、成本高、效率低。鉴于此，本文提出了一种利用半桥LLC串联谐振电路进行隔离的光伏并网逆变器设计方案，该设计方案分析了两级式光伏并网逆变器各级结构、组成、工作原理把采用变压器隔离和半桥LLC串联谐振电路隔离的光伏并网逆变器进行对比可知，采用LLC谐振电路进行隔离比变压器效率高、重量轻、体积小，从而证实了本方案的可行性。

十一

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LLC半桥谐振功率级电路图 2012-06-07 11:38

LLC半桥谐振功率级电路如图2（b）所示。该功率级主电路由图2 （c）所示的控制电路来控制。在图2 （b）中，功率开关VT6、VT8、电容C23、电感L3以及变压器T3引脚③与引脚⑥之间的初级电

嵩阳铁剑

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LLC谐振半桥拓补结构 2010-01-04 08:17

LLC谐振半桥拓补结构图5中的LLC拓扑结构特别适用需要高输出电压的场合，如液晶和等离子电视等应用。

电子工程师

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LLC型串并联谐振变换器参数分析与应用 2009-01-04 19:20

　　随着现代电力电子技术的发展，开关电源向着高频化、集成化、模块化方向发展。提高开关频率能减小体积，提高功率密度及可靠性，平滑变化的波形和较小的电压／电流变

电子工程师

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浅谈8KW 碳化硅全桥LLC解决方案 2017-10-31 11:49

随着电动汽车的火热发展，充电桩和车载充电器的方案已经成为市场的热点。此类应用中，其输入电压大都是三相交流输入，经过三相PFC后，直流母线电压会高到7，800V，如此高的直流母线电压给后级的DC/DC变换器的设计带来极大的挑战。

汽车玩家

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LLC型串并联谐振半桥变换器（l6599变压器设计） 2018-01-23 16:08

本文主要介绍了LLC型串并联谐振半桥变换器（l6599变压器设计）。对中小功率直流变换器而言，采用高频软开关技术控制的半桥拓扑易于实现高频化、减小变换器体积、进一步提高系统效率。其中LLC型串并联谐振变换器可实现在全电压范围及全负载条件下主功率管的ZVS和整流二极管的ZCS，效率较高，利于高频化，广泛用于中功率场合。

ss

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LLC最全计算套路 2017-08-29 11:23

不断增加的开关电源功率密度，已经受到了无源器件尺寸的限制。采取高频运行，可以大大降低无源器件，如变压器和滤波器的尺寸。但是过高的开关损耗势必成为高频运行的一大障碍。

VINi_fcsde_sh

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为什么单片机不能直接驱动继电器和电磁阀 2018-02-26 09:52

为什么单片机不能直接驱动继电器和电磁阀。继电器继电器就是个开关，这个开关是由它内部的线圈控制的。

kEs1_pcb_repair

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IGBT模块不同的内部结构和电路图分析 2017-11-23 09:46

　IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

姚小熊27

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