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  • 电子发烧友网报道(文/李诚)GaN凭借其优越的性能,成为第三代半导体材料中的一员,在半导体领域中备受关注。本期文章主要讲述目前国外主流GaN快充控制芯片,国产GaN快充控制芯片将在下一期文章中讲述。 GaN不同于一般的MOS管,氮化镓FET的横向结构中没有P-N结、体二极管,也没有反向恢复电荷(Qrr)。通过消除反向恢复损耗,氮化镓可以在硬交换拓扑中实现高效的高切换频率操作。 从源头避免了损耗问题的出现,DS极之间双向导通,GaN与Si相比,
    lPCU_elecfans
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    Wildesbeast
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