ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态RAM,组织为512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术,可生产出高性能和低功耗的设备。 当CS1为HIGH(取消选择)或CS2为LOW(取消选择)或CS1为LOW,CS2为HIGH且LB和UB均为HIGH时,器件将处于待机模式,在该模式下,可通过CMOS输入降低功耗水平。 使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOWWriteEnable(WE)控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问
潘霞
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