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林益梅

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主管工程师中芯国际

上海市浦东新区丨设计开发工程

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MOS的C-V曲线与衬底浓度以及GOX特性的关系 2022-07-03 10:34

随着半导体制程越来越复杂，我们最关键的参数Vt的控制越来越重要，有的时候我们的Vt如果单纯是衬底浓度影响我们自然可以通过长沟和短沟以及NMOS和PMOS是否同时变动来确定是否是GOX还是Vt_IMP的问题，其实这也是一种correlation它其实是一种逻辑思考方式，只是他是基于理论的。

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IC 流片前的CheckList内容分析 2022-12-26 11:50

对于多目标流片，die 的排列上要预留至少 80µm（具体要咨询封装厂）的划片槽间距。尽量在横竖两个方向上划片能一刀到底（即尽量不要交错排布芯片）；

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如何使用SBR提高电源转换效率 2022-04-20 17:33

对于几乎任何电子或电气系统的设计，最大限度地提高电源效率非常重要。在移动设备中，更好的电源效率可提供更长的电池寿命，这是一个关键卖点。对于基本上任何应用，提高能效意味着可以减小尺寸和重量，并简化热管理——从而降低成本。当然，使用更少的功率也有助于产品满足能源等级要求，这可能是法律要求，也是对客户有吸引力的功能。

chencui

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最新SiC器件与Si IGBT的性能比较 2019-11-08 11:41

直到最近，功率模块市场仍被硅（Si）绝缘栅双极型晶体管（IGBT）把持。需求的转移和对更高性能的关注，使得这些传统模块不太适合大功率应用，这就带来了 SiC 基功率器件的应运而生。

电子工程师

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单端正反激DC／DC变换器电路图 2020-04-26 17:58

变压器T1起隔离和变压作用，在输出端加一个电感器Lo（续流电感），起能量储存及传递作用。

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DCM反激转换器在DCM或CCM中的运行方案 2021-05-10 16:40

当FET Q1在占空比周期D导通时开始工作。T1初级绕组中的电流始终从零开始，达到由初级绕组电感，输入电压和导通时间t1设定的峰值。

电子设计

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硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动几个方面的不同 2019-12-09 13:58

硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面

汽车玩家

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提高电动汽车采用率的高能效主驱逆变器方案解析 2020-12-05 11:48

全球环保节能法规在推动汽车厂商设计尺寸和重量更小、具有最高电源能效的电动动力总成系统。设计电动动力总成的挑战之一是电池提供直流电，而主驱电机需要交流电。主驱逆变器是电动动力总成的关键部分，负责将高压电池（350-800 VDC）的直流电压转换为三相交流正弦电流的交流电压，进而旋转电感应电机并驱动车辆前进。该模块的性能影响到车辆的整体能效，包括加速和驾驶里程。安森美半导体提供高能效、稳定可靠且具成本竞争优势的主驱逆

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磁性接近开关工作原理 2016-01-12 09:26

它能通过传感器与物体之间的位置关系变化，将非电量或电磁量转化为所希望的电信号，从而达到控制或测量的目的。接近传感器目前所采用的原理有电感式、磁式、光学式、超声式和电容式等。

liergou

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3D NAND良率是NAND Flash市场最大变数 2017-02-27 09:21

据海外媒体报道，去年下半年以来NAND Flash市场供不应求，主要关键在于上游原厂全力调拨2D NAND Flash产能转进3D NAND，但3D NAND生产良率不如预期，2D NAND供给量又因产能排挤缩小，NAND Flash市场出现货源不足问题，价格也因此明显上涨。

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3D工艺成为半导体微细加工技术必然趋势 2012-05-15 10:43

3D已经成为半导体微细加工技术到达物理极限之后的必然趋势，目前正处于3D工艺的探索期。在这一过程中，以及今后在实现3D工艺的发展趋势中，半导体产业发展模式到底如何演义，会

小刘

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FD-SOI会是颠覆性技术吗？ 2016-04-18 10:16

耗尽型绝缘上覆矽（FD-SOI）制程技术正从原本的“迟到”（too-late）位置摇身一变，成为可望在物联网（IoT）与汽车市场取代鳍式场效电晶体（FinFET）的理想替代方案了。对于许多人来说，业界主导厂商代表出席一场相关领域的业界活动，象征着为这项技术背书。

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10纳米FinFET工艺制程的Exynos8895呼之欲出 2016-12-29 16:32

其中Exynos 8895M为高配版，CPU核心架构为猫鼬M2+A53，其中猫鼬M2最高主频为2.5GHz，而A53主频为1.7GHz，GPU为20核的Mali-G71，频率为550MHz。此外三星Exynos 8895M还支持4通道LPDDR4X内存，UFS 2.1闪存，4K屏幕分辨率，LTE Cat.16的载波聚合，并且还有5模基带。

Duke

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详解先进的半导体工艺之FinFET 2017-02-04 10:30

FinFET称为鳍式场效晶体管（FinField-EffectTransistor;FinFET）是一种新的互补式金氧半导体（CMOS）晶体管。

ljm

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FinFET布局和布线要经受的重大考验 2017-05-04 10:47

随着高级工艺的演进，电路设计团队在最先进的晶片上系统内加载更多功能和性能的能力日益增强。

Hx

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