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  • 氮 化镓(GaN)这种宽带隙材料将引领射频功率器件新发展并将砷化镓(GaAs)和LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件变成昨日黄花?看到一些媒体 文章、研究论文、分析报告和企业宣传文档后你当然会这样认为,毕竟,GaN比一般材料有高10倍的功率密度,而且有更高的工作电压(减少了阻抗变换损 耗),更高的效率并且能够在高频高带宽下大功率射频输出,这就是GaN,无论是在硅基、碳化硅衬底甚至是金刚石衬底的每个应用都表现出色!帅呆了!
    电子工程师
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