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研发工程师 西安理工大学
陕西省 西安市 学术研究/学生
  • IGBT是双极型三极管和MOS管结合在一起的产物,双极型三极管具有低频(10KHz以下)大电流能力,MOSFET具有高频(100KHz以上)小电流特点。IGBT兼有两种器件的优点,电压控制驱动,通流能力强,频率最高可使用到100KHz,是中频段理想的功率器件。
    电子工程师
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