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广东省 深圳市 设计开发工程
  • 第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)是近几年新兴的功率半导体,相比于传统的硅(Si)基功率半导体,氮化镓和碳化硅具有更大的禁带宽度,更高的临界场强,使得基于这两种材料制作的功率半导体具有耐压高、导通电阻低、寄生参数小等优异特性,应用于开关电源领域时,具有损耗小、工作频率高、可靠性高等优点,可以大大提升开关电源的效率、功率密度和可靠性等。     图1:碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的开关动作时间   碳化硅(SiC)和氮
    Lee4684
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