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高压功率IC片上静电防护器件之BSDOT结构

doon007
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导读LDMOS是功率IC的常用器件，它作为片上静电防护器件使用时，与低压MOSFET一样存在静电泄放电流非均匀分布的问题。该问题是LDMOS器件静电鲁棒性提高的主要障碍。湖南静芯微电子技术有限公司开发的BSDOT器件，在相 ...

来源：芯片测试与失效分析
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高压功率IC片上静电防护器件之BSDOT结构

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导读LDMOS是功率IC的常用器件，它作为片上静电防护器件使用时，与低压MOSFET一样存在静电泄放电流非均匀分布的问题。该问题是LDMOS器件静电鲁棒性提高的主要障碍。湖南静芯微电子技术有限公司开发的BSDOT器件，在相 ...

来源：芯片测试与失效分析
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物联网用可片上集成的5kV/8kV/15kV/30kV ESD

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导读物联网可以说是当下最火的一个词语，从2008年的概念，到现在的我们可以看到的雏形，都意味着我们的生活会被这个技术带来翻天覆地的变化，但与物联网的核心集成电路系统却时刻面临着ESD的威胁，如何提高系统可靠 ...

来源：芯片测试与失效分析
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高压功率IC片上静电防护器件

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导读LDMOS晶体管已广泛应用于电源管理集成电路、LED/LCD驱动器、手持和汽车电子等高压功率集成电路。了解LDMOS的静电防护性能，有益于高压功率IC的片上静电防护器件设计。高压功率集成电路是半导体产业的一个重要分 ...

来源：电路设计论坛
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ESD片上集成设计指标解读

doon007
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导读静电是影响集成电路芯片可靠性的关键因素之一，为保证片上静电器件有效地保护芯片，其设计指标需要满足特定ESD设计窗口要求，正确理解指标含义有助于明确特定IC对ESD器件提出的设计目标。静电放电（ESD）是电子 ...

来源：芯片测试与失效分析