使用继电器或者IGBT y以上电路就是使用PWM控制IGBT快速开关实现控制大电流的例子。 IGBT是以GTR为主导元件,MOSFET为驱动元件的达林顿结构的复合器件。其外部有三个电极,分别为G-栅极,C-集电极,E-发射极。 在IGBT使用过程中,可以通过控制其集-射极电压UCE和栅-射极电压UGE的大小,从而实现对IGBT导通/关断/阻断状态的控制。 1)当IGBT栅-射极加上加0或负电压时,MOSFET内沟道消失,IGBT呈关断状态。 2)当集-射极电压UCE<0时,J3的PN结处于反偏,IGBT呈反向阻