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美高森美750W GaN on SiC RF功率晶体管为航空应用提供无与伦比的高功率性能 2013-09-30 15:34

半导体技术产品的领先供应商美高森美公司推出新型750W RF晶体管扩展其基于碳化硅（silicon carbide，SiC）衬底氮化镓（gallium nitride，GaN）高电子迁移率晶体管（high electron mobility transistor，HEMT）技术的射频（radio frequency，RF）功率晶体管系列。在全系列空中交通管制和防撞设备中，MDSGN-750ELMV提供了突出的最高功率性能。

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