针对 EasyFlash 写入多条日志成功但读取多条失败的问题,结合你的描述和配置,以下是一个系统性的排查和解决方案指南:
核心原因分析
SPI Flash 驱动不完整
- 关键点: W25Q16JV 的
SFUD 驱动未正确实现块擦除(erase)、扇区擦除(erase_chip)或页写入(page_program)函数。
- 现象: 写入函数可能仅操作了 RAM 缓冲区,实际数据未写入物理介质。
分区配置冲突
- 日志区覆盖 ENV 区: 即使你禁用了
EF_USING_ENV,EasyFlash 源码可能仍预定义了 ENV 分区地址,导致日志区被覆盖。
- 检测: 检查
easyflash/port/ef_port.c 中 ef_env_set_default() 是否包含默认分区表。
缓冲区同步缺失
- 日志写缓存机制: EasyFlash 默认在缓冲区满或主动调用
ef_log_sync() 时才写入 Flash。
- 风险: 若未同步时复位,日志会丢失。
Flash 擦除问题
- 写前需擦除: W25Q16JV 要求写入前擦除扇区(通常 4KB)。
- 驱动缺陷: 若擦除函数未正确实现,写入数据会失败。
多任务竞争
- RTOS 环境风险: 若多个任务同时调用 EasyFlash API 且无锁保护,会导致状态混乱。
详细解决方案
1. 完善 SPI Flash 驱动
确保实现以下关键函数(参考 SFUD 文档):
// 在 sfud_flash.c 中添加 W25Q16JV 专用操作
static sfud_err_t spi_flash_erase_write(sfud_flash *flash, uint32_t addr, size_t size, const uint8_t *data) {
// 实现擦除(按扇区/块)和页写入逻辑
// 示例代码:
sfud_err_t err = SFUD_SUCCESS;
size_t erased_size = 0;
size_t cur_erase_size = 0;
while (size > erased_size) {
cur_erase_size = 4096; // 按 4KB 扇区擦除
err = sfud_erase(flash, addr + erased_size, cur_erase_size);
if (err != SFUD_SUCCESS) return err;
erased_size += cur_erase_size;
}
// 写入数据
err = sfud_write(flash, addr, size, data);
return err;
}
2. 修正分区配置
显式指定日志区地址(避开潜在 ENV 区):
// 在 ef_cfg.h 中强制定义日志分区起始地址和大小
#define LOG_START_ADDR (0) // 从 Flash 起始地址开始
#define LOG_AREA_SIZE 0x100000 // 分配 1MB 空间(W25Q16JV 共 2MB)
3. 主动同步日志缓冲区
写入后立即同步确保数据落盘:
// 写入日志后调用同步
ef_log_debug("System Booted");
ef_log_sync(); // 强制写入到 Flash!
4. 验证 Flash 擦除与写入
添加擦除状态检查逻辑:
// 擦除后读取校验
sfud_err_t result = sfud_sector_erase(flash, addr);
if (result == SFUD_SUCCESS) {
// 检查擦除后是否为全 FF
uint8_t buffer[128];
sfud_read(flash, addr, sizeof(buffer), buffer);
for (int i = 0; i < sizeof(buffer); i++) {
if (buffer[i] != 0xFF) {
rt_kprintf("Erase failed at addr %xn", addr + i);
break;
}
}
}
5. 增加互斥锁保护
在 RT-Thread 中包装 EasyFlash API:
static rt_mutex_t ef_mutex = RT_NULL;
void ef_lock(void) {
if (ef_mutex == RT_NULL) {
ef_mutex = rt_mutex_create("ef_lock", RT_IPC_FLAG_PRIO);
}
rt_mutex_take(ef_mutex, RT_WAITING_FOREVER);
}
void ef_unlock(void) {
rt_mutex_release(ef_mutex);
}
// 在 ef_port.c 中设置钩子
void ef_port_init(void) {
ef_env_set_default();
ef_log_set_default();
ef_set_lock(ef_lock, ef_unlock); // 绑定锁函数
}
验证流程
读写基础测试
逐扇区测试擦除 → 写入 → 读取的完整性:
uint8_t test_data[256];
memset(test_data, 0x55, sizeof(test_data));
sfud_write(flash, 0x1000, sizeof(test_data), test_data);
sfud_read(flash, 0x1000, sizeof(test_data), read_buf);
if (memcmp(test_data, read_buf, sizeof(test_data)) != 0) {
rt_kprintf("SPI RW TEST FAILED!n");
}
监控日志区状态
通过 JTAG 直接读取 Flash 物理地址,确认数据是否真实写入。
启用调试信息
在 ef_cfg.h 中打开调试输出:
#define EF_DEBUG_ENABLE
#define EF_PRINTF(...) rt_kprintf(__VA_ARGS__)
查看 "EasyFlash" 关键字的调试输出,检查擦除、写入地址是否正确。
补充建议
通过以上系统性排查和修正,可解决日志写入成功但读取失败的问题。核心在于确保底层 SPI 操作的完整性与分区隔离。特别注意: GD32 的 SPI 时钟偏差可能比 STM32 更大,若驱动移植自 STM32,需降低 SPI 速率或调整采样边沿。
针对 EasyFlash 写入多条日志成功但读取多条失败的问题,结合你的描述和配置,以下是一个系统性的排查和解决方案指南:
核心原因分析
SPI Flash 驱动不完整
- 关键点: W25Q16JV 的
SFUD 驱动未正确实现块擦除(erase)、扇区擦除(erase_chip)或页写入(page_program)函数。
- 现象: 写入函数可能仅操作了 RAM 缓冲区,实际数据未写入物理介质。
分区配置冲突
- 日志区覆盖 ENV 区: 即使你禁用了
EF_USING_ENV,EasyFlash 源码可能仍预定义了 ENV 分区地址,导致日志区被覆盖。
- 检测: 检查
easyflash/port/ef_port.c 中 ef_env_set_default() 是否包含默认分区表。
缓冲区同步缺失
- 日志写缓存机制: EasyFlash 默认在缓冲区满或主动调用
ef_log_sync() 时才写入 Flash。
- 风险: 若未同步时复位,日志会丢失。
Flash 擦除问题
- 写前需擦除: W25Q16JV 要求写入前擦除扇区(通常 4KB)。
- 驱动缺陷: 若擦除函数未正确实现,写入数据会失败。
多任务竞争
- RTOS 环境风险: 若多个任务同时调用 EasyFlash API 且无锁保护,会导致状态混乱。
详细解决方案
1. 完善 SPI Flash 驱动
确保实现以下关键函数(参考 SFUD 文档):
// 在 sfud_flash.c 中添加 W25Q16JV 专用操作
static sfud_err_t spi_flash_erase_write(sfud_flash *flash, uint32_t addr, size_t size, const uint8_t *data) {
// 实现擦除(按扇区/块)和页写入逻辑
// 示例代码:
sfud_err_t err = SFUD_SUCCESS;
size_t erased_size = 0;
size_t cur_erase_size = 0;
while (size > erased_size) {
cur_erase_size = 4096; // 按 4KB 扇区擦除
err = sfud_erase(flash, addr + erased_size, cur_erase_size);
if (err != SFUD_SUCCESS) return err;
erased_size += cur_erase_size;
}
// 写入数据
err = sfud_write(flash, addr, size, data);
return err;
}
2. 修正分区配置
显式指定日志区地址(避开潜在 ENV 区):
// 在 ef_cfg.h 中强制定义日志分区起始地址和大小
#define LOG_START_ADDR (0) // 从 Flash 起始地址开始
#define LOG_AREA_SIZE 0x100000 // 分配 1MB 空间(W25Q16JV 共 2MB)
3. 主动同步日志缓冲区
写入后立即同步确保数据落盘:
// 写入日志后调用同步
ef_log_debug("System Booted");
ef_log_sync(); // 强制写入到 Flash!
4. 验证 Flash 擦除与写入
添加擦除状态检查逻辑:
// 擦除后读取校验
sfud_err_t result = sfud_sector_erase(flash, addr);
if (result == SFUD_SUCCESS) {
// 检查擦除后是否为全 FF
uint8_t buffer[128];
sfud_read(flash, addr, sizeof(buffer), buffer);
for (int i = 0; i < sizeof(buffer); i++) {
if (buffer[i] != 0xFF) {
rt_kprintf("Erase failed at addr %xn", addr + i);
break;
}
}
}
5. 增加互斥锁保护
在 RT-Thread 中包装 EasyFlash API:
static rt_mutex_t ef_mutex = RT_NULL;
void ef_lock(void) {
if (ef_mutex == RT_NULL) {
ef_mutex = rt_mutex_create("ef_lock", RT_IPC_FLAG_PRIO);
}
rt_mutex_take(ef_mutex, RT_WAITING_FOREVER);
}
void ef_unlock(void) {
rt_mutex_release(ef_mutex);
}
// 在 ef_port.c 中设置钩子
void ef_port_init(void) {
ef_env_set_default();
ef_log_set_default();
ef_set_lock(ef_lock, ef_unlock); // 绑定锁函数
}
验证流程
读写基础测试
逐扇区测试擦除 → 写入 → 读取的完整性:
uint8_t test_data[256];
memset(test_data, 0x55, sizeof(test_data));
sfud_write(flash, 0x1000, sizeof(test_data), test_data);
sfud_read(flash, 0x1000, sizeof(test_data), read_buf);
if (memcmp(test_data, read_buf, sizeof(test_data)) != 0) {
rt_kprintf("SPI RW TEST FAILED!n");
}
监控日志区状态
通过 JTAG 直接读取 Flash 物理地址,确认数据是否真实写入。
启用调试信息
在 ef_cfg.h 中打开调试输出:
#define EF_DEBUG_ENABLE
#define EF_PRINTF(...) rt_kprintf(__VA_ARGS__)
查看 "EasyFlash" 关键字的调试输出,检查擦除、写入地址是否正确。
补充建议
通过以上系统性排查和修正,可解决日志写入成功但读取失败的问题。核心在于确保底层 SPI 操作的完整性与分区隔离。特别注意: GD32 的 SPI 时钟偏差可能比 STM32 更大,若驱动移植自 STM32,需降低 SPI 速率或调整采样边沿。
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