MOS换经常烧坏，GS击穿，R67会烧毁，这个电路有什么问题吗？各位大哥帮忙分析一下，给个思路！谢谢！

从您提供的信息来看，这个电路可能存在以下几个问题：

1. MOS管烧坏：MOS管烧坏可能是由于过电流、过电压或过热引起的。请检查MOS管的驱动电压、源极电压和漏极电压是否在规定的范围内。此外，还需要检查MOS管的散热是否良好，以防止过热。

2. GS击穿：GS击穿可能是由于栅极电压过高或过低引起的。请检查MOS管的栅极电压是否在规定的范围内。如果栅极电压过高，可能导致MOS管击穿；如果栅极电压过低，可能导致MOS管无法正常工作。

3. R67烧毁：R67烧毁可能是由于过电流引起的。请检查R67的阻值是否合适，以及其前后的电路是否有短路或过载现象。

为了解决这些问题，您可以尝试以下步骤：

1. 检查电路图：仔细检查电路图，确保所有元件的连接和参数都正确。

2. 检查元件：检查MOS管、R67等元件是否损坏或参数不符合要求。

3. 检查电源：检查电源电压是否稳定，是否存在过电压或欠电压现象。

4. 检查驱动电路：检查MOS管的驱动电路是否正常工作，确保栅极电压在规定的范围内。

5. 检查散热：检查MOS管的散热是否良好，以防止过热。

6. 检查负载：检查电路的负载是否过大，导致电流过大。

通过以上步骤，您应该能够找到电路中的问题，并进行相应的修复。希望这些建议对您有所帮助！

当Q5场效应晶体管D～G或者D～S之间击穿的同时，大电流会经过R67（10Ω）倒灌入驱动电路，分析考虑应该是继电器线圈产生的尖脉冲造成场效应晶体管击穿，应该在场效应晶体管和继电器部分增加尖脉冲电压吸收电路，这样就能够充分解决这个问题。

看你选用的MOSFET参数，继电器估计驱动电流不会太小，由此断定你的继电器续流电路电阻R2选值太大，导致断电瞬间MOSFET DS两端电压升高超出容限，从而过电压烧毁MOSFET,由此建议你减小R2阻值到几十欧姆范围，同时增大R13限流电阻瓦数，防止功率超额烧毁，同时把接续在R13上的电容挪到和继电器线圈并联，同时电容换成无极性电容

之前我们出现过G端悬空，导致MOSFET很容易烧坏