一、产品性能CS32F03X
二、产品性能CS32L010/CS32L015
三、产品性能CS32F103
四、硬件设计
五、应用、烧录、升级、生态相关
产品性能CS32F03X
问:CS32F03X Deepsleep 模式下，保留 GPIO 唤醒功能，低功耗电流是多少？
答: 大概是10uA
问:CS32F03X 常用封装有哪些？
答:有LQFP48、LQFP32、QFN32(55)、QFN32(44),、QFN28, TSSOP20等。
问:CS32F03X 和 CS32F03X-RA 有什么差另？
答:CS32F03X 是110nm晶圆工艺， CS32F03X-RA是 90nm晶圆工艺。同样封装的两个系列 PIN 兼容，软件也兼容。 具体外设资源有小部分差异，请参考差异对照表。
问:CS32F03X GPIO是否支持 1.8V1.2V 电平？
答: 普通GPIO 口输入阈值按照 VIH/VIL 为 0.7VDD/0.3VDD 进行设计。 CS32F03X-RA 版本增加了输入阈值选择，部分GPIO 可以配置输入电压为 VDD 或者 1.8V/1.2V，如果配置为 VDD，则和上面描述一样，如果配置为 1.8V/1.2V，则可以识别 1.8V 和 1.2V 输入。此功能主要用于和 1.8V/1.2V 的 I2C 设备进行通信。输入阈值配置寄存器参考 SYSCFG 章节的 SYSCFG_GPIOA 和 SYSCFG_GPIOB。
注：输入阈值选择仅CS32F03X-RA 版本支持，其他版本无此功能。
问:CS32F03X 电路设计有什么需要注意事项。
答:所有VDD/VDDA PIN 都需要接电源， 所有 GND PIN 都需要接在一起。
MCU 最低工作电压是 2.0V. 需要 ADC 工作， VDDA 最低工作电压是 2.4V.
产品性能CS32L010/CS32L015
问:CS32L010/CS32L015 Deepsleep 模式下，保留 GPIO/AWK 唤醒，低功耗电流是多少？
答: 大概是1.0uA
问:CS32L010/CS32L015 典型应用有哪些？ 工业应用场景中是否推荐使用？
答:CS32L010/CS32L015典型应用有电子烟，共享充电宝，TWS 耳机仓等，适用于低功耗低成本的消费用应用。不推荐在工业应用场景中。
问:CS32L010/CS32L015 VCAP PIN 是什么功能？
答:VCAP PIN 是MCU 内部的一个 LDO 输出，给内核供电。MCU 外部需要接一个1uF 电容到 GND， 以提供 这个 LDO 输出电压的稳定性，给 MCU 内核一个稳定的电压环境。
问:CS32L010 内部时钟有哪些？
答: 有内部高速时钟HIRC 和内部低速时钟。内部高速时钟有 4 个频率可以选择，分别是 4MHZ, 8MHZ, 16MHZ, 24 MHZ, 其中 4 MHZ 和 24MHZ 的精度是在 1%以内。内部低速时钟有2 个频率可以选择，LIRC.38.4KHz/32.768KHz .
问:CS32L015 内部时钟有哪些？
答: 有内部高速时钟HIRC 和内部低速时钟。内部高速时钟有 4MHZ, 14.7456MHZ, 24 MHZ。内部低速时钟有2 个频率可以选择，LIRC.38.4KHz/32.768KHz .
问:CS32L010/CS32L015 UART波特率最高可以支持多少？
答: CS32L010 最小波特率支持 115200(需要使能双波特功能)
CS32L015 最小波特率支持 921600
问:CS32L010/CS32L015 在电池供电场景下，MCU 对 VBAT 电池电压的采集精度能达到多少？
答: CS32L010 对电池电压的判断大概能达到50mV左右(以实际测试为准，提供测试程序)。
CS32L015 对电池电压的判断大概能达到20mV左右(以实际测试为准，提供测试程序)。
问:CS32L010-QFN20 电路设计有什么需要注意事项。
答: VCAP PIN 需要 接一个 1uF 电容到 GND， 芯片最低工作电压是 2.5V.
QFN20 底部焊盘电气是悬空的，PCB Layout时是，建议这个底部焊盘接到 GND.
烧录接口/调试接口，建议预留 NRST PIN， 即： VDD\GND\SWDIO\SWDCLK\NRST 5 个PIN.
产品性能CS32F103
问:CS32F103 注意事项。
答: CS32F103 不支持电池给MCU 供电，硬件设计中 VBAT PIN 需要的 MCU VDD 短接在一起。
问:CS32F103 深度睡眠模式下功耗能达到多少。
答: VCAP深度睡眠模式下典型功耗是23uA, 最大值接近 300uA. 这个电流会随着温度的升高而增加。建议使用掉电模式。
硬件设计
问:MCU 电源电路设计注意事项。
答: 所有MCU VDD 都有一个最低工作电压， 电压 从 0V 上升到 VDD 过程中，如果在最低工作电压附近接续时间较长， MCU 可能在这个短暂时间内反馈的工作和不工作，可能是导致异常。 MCU VDD 上升和下降过程中，都需要满足上电POR 和 掉电PDR 的电压和时间时序。
问:MCU电小系统电路设计注意事项。
答: CS32F03X Boot PIN 必须要通过一个电阻拉到 GND，以确认 MCU 在上电后执行 Flash 中的代码。CS32L015 Boot PIN 是和 GPIO 复用，建议接一个电阻到 GND，以确保 MCU 在上电或者复位过程中 Boot PIN 上是低电平。
问:MCU 电源电路设计注意事项。
答: 所有MCU VDD PIN 接一个 0.1uF 到 GND.
为了增强硬件系统的抗干扰性能，提高系统的稳定性，建议在一个 MCU VDD PIN 或者所有MCU VDD PIN 接一个π 型 滤波电路，如下图。
问:CS32F03X VBAT 电路设计注意事项。
答:XX如果电路应用中有VBAT 备用电池，建议 VDD 的电压要大于 VBAT 电压 + 芯片内部二级管压降(0.8V)，如下图中的红圈内。如果电路应用中有VBAT 备用电池电压 + 0.8V 确实低于 MCU VDD，建议在电池正极 与 MCU VBAT PIN 间 接一个 二极管(如图7 中的黄色圈内)，防止 VDD 通过芯片内部的二级管反向给电池充电。
答: 所有MCU都为多应用而设计，通常一个应用不会使用100%MCU资源。为增加EMC性能、避免额外的功耗，未使用的时钟口、比较器输入输出口或GPIO口不应浮空。I/O口应连至固定的低或高逻辑电平，其方法是在未使用的I/O引脚上使用外部或内部上拉或下拉电阻，或用软件将I/O口配置为输出模式
Ø 应用、烧录、升级、生态相关
答: 优先推荐使用KEIL 来开发。
答: 优先推荐使用J-Link 来开发。
答: 支持。
答: 支持。都支持通过 UART 来实现 IAP 升级，并提供上位机工具 和 下位机参考代码。
答: 可以利用FWDT 看门狗，实现周期的复位，每次复位前通过 Fllash/SRAM/不掉电寄存器保存关键数据。
答: 所有通用MCU 支持 HEX 文件， 功能陆续升级中，以支持 BIN 文件
void HardFault_Handler(void)
{ /* Go to infinite loop when Hard Fault exception occurs */
while (1)
{
}
}
** 答:** 主要有以下注意事项：
a. 要把所有不用到的外设关闭功能。
b. 有ADC Input功能的 PIN， 需要设计成 模拟输入功能。
c. 其它GPIO 设计成输出功能。
d. 输出高电平还是低电平，取决于外部电路，要避免电流流进或者流出MCU.
e. 系统系列有不同封装的(比如 一个型号同时有 (QFN32 和 LQFP48，是同一个Die, QFN32 有着和 LQFP48 一样数量的 GPO， 只是没有引出到芯片 PIN 上来，低功耗设计时，这些 PIN 需要输出一个稳定的低电平或者高电平) GPIO 的配置要按照最大封装来配置。
答: MCU 软件应该要打开 低电压检测 LVD 功能，并设置合理的 低电压检测值，在程序运行过程中检测 MCU VDD 电压，如果. 电压较低，软件主动复位 MCU。避免 MCU 在 临界工作电压附近工作。
答: 运行以下程序，把MCU HIRC 输出到PA8 上，使用示波器就可以测量到HIRC 的实际频率值 了。Chipsea.CS32F03x_DFP.2.0.8\Boards\EVB_32F03x_START\Examples\RCU\RCU_HRC
问:CS32L010/CS32L015如何测量内部 HIRC 的精度？
答: 运行以下程序，把MCU HIRC 输出到PC7 上，使用示波器就可以测量到HIRC 的实际频率值 了。CS32L010_DFP1.1.0.5\Boards\Examples\rcc\HIRC_LIRC_output
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