IGBT的短路过程分析

是不是因为反电动势引起的

这个小尖峰可能是由于IGBT内部的固有电容和电感导致的。在IGBT开通时刻，当IGBT的控制信号到达足够的门电压时，电流开始流过IGBT的CE电极，这时候IGBT的固有电容会开始放电，而电感则会逐渐积累能量。

当IGBT的固有电容快速放电时，由于固有电容与电感之间的振荡效应，可能会导致CE电压有一个短暂的上升。这个振荡效应的幅度和时间与电感和固有电容的数值相关。

因此，这个小尖峰可能是由于IGBT内部固有电容和电感的振荡效应导致的，而这些特性是由IGBT的制造和设计决定的。同时，IGBT模块的驱动电路设计也可能会影响这个现象的表现。