在TLE9879上从代码中擦除Code Flash Page时出现问题求解

我目前正在做一个涉及 TLE9879 MCU 的项目，我遇到了擦除代码中一页代码闪存的问题。 奇怪的是，我能够成功地对其进行编程，但在尝试擦除时却遇到了故障。
如果能就这种差异的潜在原因提出任何见解或建议，我将不胜感激。 你在这方面的专业知识和指导将非常宝贵。
谢谢
马里奥
这是我的主要
int main（空白）
{
int i;
uint8 *p;
静态 uint16 校验和，数据；

/* 基于配置向导配置初始化硬件模块*/
tle_init ();
校验和 = 0；

/****************************************************************************
wdt1_sow_Service (1u)；
  
if (USER_CFLASH_WR_PROT_DIS (0) == 0)
{
//code flash 不再受写保护
Port_ChangePin（LED 4，PORT_ACtiON_SET）；
}
其他
{
//code flash 仍然写入保护，密码不匹配
Port_ChangePin（LED 5，PORT_ACTION_SET）；
}
/****************************************************************************
uint8 资源；
  
wdt1_sow_Service (1u)；
  
res = USER_ERASEPG ((uint32*) progFlashStart + 0x8000，0)；
  
(void) wdt1_Service ()；
  
如果 ((res   1) == 1)
{
//擦除失败
Port_ChangePin（LED 1，PORT_ACTION_SET）；
}

/****************************************************************************
/* uint8 page_data [128];
  
for (i = 0; i < flashPageSize; i++)
{
page_data [i] = i;
}
  
wdt1_sow_Service (1u)；
  
if（ProgramPage（progFlashStart + 0x8000，p   age_data，0，0，0）== 1）
{
USER_ERASEPG ((uint32*) progFlashStart + 0x8000，0)；
}
  
(void) wdt1_Service ()；*/
/****************************************************************************

tuser_openab openab_res；
  
  
openab_res.reg = USER_OPENAB (progFlashStart + 0x20000)；
  
(void) wdt1_Service ()；
  
如果 (openab_res.bit.execFail == 1)
{
Port_ChangePin（LED 2，PORT_ACTION_SET）；
//程序集缓冲区已经打开，或者
//嵌套的 NVM 操作
}
如果 (openab_res.bit.abFail == 1)
{
Port_ChangePin（LED 3，PORT_ACTION_SET）；
//数据闪存写入保护，或
//错误的 nvmPageAddr 地址，不在闪存范围内
}

/****************************************************************************
/* 擦除数据闪存扇区*/
nvm_Error = USER_ERASEPG ((uint32*) dataFlashStart，0)；
  
(void) wdt1_Service ()；

/* 检查扇区擦除是否通过*/
如果 (nvm_Error == 0u)
{
/* 擦除扇区期间发生错误 */
Port_ChangePin（LED 1，PORT_ACTION_SET）；
}
其他
{
/* 擦除扇区期间发生错误 */
Port_ChangePin（LED 8，PORT_ACTION_SET）；
}

对于 (;;)
{
(void) wdt1_Service ()；
}
}