pwm驱动cmos电路的反相器时需要设置死区时间吗？如何根据pmos管和nmos管的参数确定死区时间？

是的，驱动CMOS电路的反相器时需要设置死区时间，以防止PMOS管和NMOS管同时导通而引起短路和损坏。死区时间是指，在两个输入信号切换时，输出信号不发生变化的时间。一般情况下，死区时间需要根据所使用的PMOS管和NMOS管的参数来确定。具体的计算方法如下：

对于PMOS管和NMOS管来说，它们的开关时间差异较大，存在一定的延迟。因此，在两个输入信号切换时，需要等待一段时间，使得前一个管子关闭之后，才能使后一个管子导通，从而保证不会同时导通。这个时间就是死区时间。一般来说，死区时间需要根据PMOS管和NMOS管的参数来计算。具体的公式如下：

t_dead = (t_rise + t_fall) × (1 + K)

其中，t_rise是PMOS管导通时间，t_fall是NMOS管导通时间，K是一个常数，通常取值在0.5~1之间。

对于使用STM32F103生成互补PWM来控制反相器的情况，根据需要的死区时间和PMOS管和NMOS管的参数，可以求解所需的占空比和PWM频率。具体的计算方法可以使用公式：

PWM频率 = (2 × 死区时间) ÷ (t_rise + t_fall)

占空比 = ((t_rise + t_fall + 2 × 死区时间) ÷ PWM周期) × 100%

需要注意的是，实际应用时，应该合理选择死区时间和PWM频率，以保证反相器正常工作并提高整体系统的效率。