嗨，
我缺少有关引导过程的信息，尤其是与闪存的交互。- 也许有人知道我的问题的一个或多个答案。
具体来说，我正在尝试从 128MBit 闪存启动 esp8266。
我的理解是，esp8266 的 ROM 中有代码，它在上电时通过 SPI 读取闪存的第一个块。
在那个块中，我们有 2 个字节（在位置 2 和 3）。
它们的含义是（在别处找到）：
现在文档中不清楚的是
1) ROM 加载初始扇区 0 的 flash_mode 和时钟频率？
2) ROM加载这个扇区后会发生什么？（我原以为它会开始执行该扇区中包含的任何代码，但它似乎在闪存中搜索半随机地址处的其他代码）。
3) 假设 ROM 在闪存中搜索其他有效代码，这些地址是如何确定的？
4）我相信闪存的大小很重要，因为 ROM 可以确定代码预期的地址。如果是这样，闪存的大小是由扇区 0 中的闪存大小（字节 3）确定的，还是 ROM 使用“通用闪存接口”来确定闪存大小？
5) ROM 决定是否在给定地址找到有效代码的标准是什么？
6) 虽然闪存芯片能够 QUOT，但未进行所需的连接。在闪存中搜索代码时，ROM 会遵守字节 2 中的 flash_mode 设置吗？）
7）ROM 中提供了哪些功能，您能否记录该 API。（不是 SDK - 有足够的文档记录 - 我正在寻找 ROM 中的功能）
8) 鉴于上表仅达到 4 兆字节/32 兆位：我应该在 128 兆位闪存上设置什么值？
