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[问答]

如何保存数据在SRAM存储器中通过SW?

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* 文件 main.c
* 所有者 David Tosenovjan
* 版本 0.1
* 日期 2023 年 5 月 31 日
*分类 一般业务信息
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* 详细说明:
* 这个例子的目的是展示如何保存数据在 SRAM 存储器中通过 SW
* 复位。
* INIT_Derivative(文件 MPC5607B_HWInit.c)被修改为跳过 ECC RAM
* SW 复位源的初始化。链接器命令文件定义了 my_ram
* 部分,一个被重置的数据被访问为指向这个
* 位置的地址指针。初始化 SW 复位后会定期触发,
* 递增地址 test_address_3 上的数据。
*
* ---------------------------------------------- ------------------------------
* 测试硬件:XPC5607B 176LQFP,XPC56XX EVB MOTHEBOARD Rev.C
* MCU:PPC5607BMLUAM03Y
* 终端: 19200-8-no parity-1 stop bit-no flow control on LINFLEX_0
* Fsys: 64/48 MHz
* Debugger: Lauterbach Trace32
* PeMicro USB-ML-PPCNEXUS
* Target: RAM, internal_FLASH
* EVB connection: none
*
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回帖(1)

倪山骋

2024-3-29 15:31:02
要保存数据在SRAM存储器中通过SW,可以按照以下步骤进行操作:

1. 修改INIT_Derivative(文件MPC5607B_HWInit.c),跳过ECC RAM SW复位源的初始化。

2. 定义一个被重置的数据段,称为my_ram部分。

3. 在代码中分配和使用my_ram数据段,以便持久性保存数据。

具体实现步骤可能因具体项目而异,需要详细查看相关资料和文档,了解项目的具体需求和实现方式。
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