伏安特性分析仪简称IV分析仪，专门用来测量二极管的伏安特性曲线、晶体管三极管的输出特性曲线，以及MOS场效应管的输出特性曲线。
IV分析仪相当于实验室的晶体管图示仪，需要将晶体管与连接
电路完全断开，才能进行IV分析仪的连接和测试。
伏安特性分析仪的图标
上图是IV分析仪测量晶体三极管的电路。可以看出IV分析仪的图标上有三个连接点，如果是测量NPN管或PNP管，那么依次接基极、发射极和集电极；如果是测量MOS场效应管，那么依次接栅极、源极和漏极；如果是测量二极管，那么只接左边的两个端子，分别接二极管的正极和负极。
伏安特性分析仪的面板
上图是IV分析仪的面板，面板的左侧是显示窗口，右侧是功能选择和参数设置区域。对IV分析面板参数可以进行如下设置：
选择元器件类型
大家单击面板右上方的“Components：”的下拉菜单，就可以选择需要测量的元器件类型，包括二极管（Diode）、NPN管（BJT NPN）、PNP管（BJT PNP）、P沟道MOS场效应管（PMOS），以及N沟道MOS场效应管（NMOS）。选择好元器件类型后，在面板右下方会出现所选元器件类型对应的提示连接方式图标，小伙伴们可以根据提示连接图标的三个端子连接电极~
显示参数设置
Current range（A）
用以设置电流显示范围。F是指电流终止值，I表示电流初始值。此外还有对数坐标和线性坐标两种显示方式可选哦~
Voltage Range（V）
用以设置电压显示范围。F是指电压终止值，I表示电压初始值。同样也有对数坐标和线性坐标两种显示方式可选哦~
扫描参数设置
单击“Simulate param.”按钮，就会弹出参数设置对话框。测量元器件选择不同，弹出的对话框需要设置的参数也是不同的。
晶体三极管扫描参数设置
上面的介绍中小电给出的IV分析仪的面板图是测量晶体三极管的特性曲线，单击图中的“Simulate param.”，就会弹出晶体三极管的参数设置对话框，如下图所示。
二极管扫描参数设置
选择二极管（Diode）作为测量元器件，如下图所示，单击“Simulate param.”按钮会出现二极管参数设置对话框。
由于二极管绘制的是二极管的伏安特性曲线，也就是二极管两端的电压和流过二极管的电流之间的关系，因此横坐标是二极管的电压，也就是上图中“Source name V_pn ”项的设置，图中的数值表示起始电压（Start）为0V，每隔10μV扫描一次，直至终止电压（Stop）为1V时结束。
MOS场效应管扫描参数设置
选择场效应管（NMOS）作为测量元器件，如下图所示，单击“Simulate param.”按钮会出现MOS管参数设置对话框。
原作者：吴少琴 吴少琴的模电课
