8.3 自举电路
EG3014 采用自举悬浮驱动电源结构大大简化了驱动电源设计，只用一路电源电压 VCC 即可完成高端 N
沟道 MOS 管和低端 N 沟道 MOS 管两个功率开关器件的驱动，给实际应用带来极大的方便。EG3014 可以使用
内部自举二极管或外接一个自举二极管如图 8-3 和一个自举电容自动完成自举升压功能，假定在下管开通、
上管关断期间 C 自举电容已充到足够的电压（Vc=VCC），当 HO 输出高电平时上管开通、下管关断时，VC 自
举电容上的电压将等效一个电压源作为内部驱动器 VB 和 VS 的电源，完成高端 N 沟道 MOS 管的驱动。
典型电路 建议自举电容为47uf
8.3 自举电路
EG3014 采用自举悬浮驱动电源结构大大简化了驱动电源设计，只用一路电源电压 VCC 即可完成高端 N
沟道 MOS 管和低端 N 沟道 MOS 管两个功率开关器件的驱动，给实际应用带来极大的方便。EG3014 可以使用
内部自举二极管或外接一个自举二极管如图 8-3 和一个自举电容自动完成自举升压功能，假定在下管开通、
上管关断期间 C 自举电容已充到足够的电压（Vc=VCC），当 HO 输出高电平时上管开通、下管关断时，VC 自
举电容上的电压将等效一个电压源作为内部驱动器 VB 和 VS 的电源，完成高端 N 沟道 MOS 管的驱动。
典型电路 建议自举电容为47uf
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