磁路基础
这次我们会把磁带到经典
电路中，先了解磁路欧姆定律，之后再了解基尔霍夫定律。
图1
磁动势MMF=磁场强度H*磁路长度L。
根据H=B/u. Φ=B*S.
我们可得 F=（L/u*S）* Φ。
人们喜欢把它转换为以下形式：
F=R* Φ
这样磁阻R=L/（u*S）。 这就是磁路的欧姆定律。把磁动势F比作电动势；把磁通Φ比作电流；把磁阻比作电阻。
这样就有了
F=H*L=N*I=R* Φ 。
磁路的基尔霍夫第一定律：
当磁路为分支磁路，如图2，可以总结为：穿过磁路中不同截面结合处的磁通的代数和等于零。（类似于KCL）
图片来自“全屏显示课程章节”
图2
磁路的基尔霍夫第二定律：
当磁路是由不止一种材料组成时，各磁路段的HL（R* Φ）的代数和等于环路交链的磁通势F的代数和。（类似于KVL）
ΣF= Σ HL
饱和电流：
图 3
既然我们知道了 F=R* Φ，不妨找一下他们之间的联系。
由B-H图来看，B正比与磁通量Φ，H正比与磁通势F。所以我们很容易得到图三右图的斜率为R磁阻的倒数。
当磁芯饱和后，磁通量Φ（sat）=B（sat）*S.
我们已经知道
F=H*L=N*I=R*Φ。
所以：
I（sat）=［B（sat）*S*R］/n
下面来一道典例：
已知条件：
这个Ecore的磁导率为2000； 厚度为7cm；如果i=1A，求左侧，中间，右侧的磁通量，并求气隙的B（flux density）。根据边缘效应，气隙的作用面试比实际面积大5%.
思路：F=H*L=N*I=R* Φ 。
R=l/μ0*u*A
难点：1）根据NI=RΦ， 算出总磁通；2）每侧的磁通如何分部；3）计算气隙的磁阻时不加相对磁导率。4）磁通与磁感应强度B的关系。
解：
假设
R1： 左侧磁阻
R2： 左侧气隙磁阻
R3：右侧磁阻
R4：右侧气隙磁阻
R5：中间磁阻
总磁阻：Rtot= 120.8 kA t/Wb
Φtot=NI/Rtot=0.00248Wb. （中间的磁通）
俩侧的磁通，根据磁路基尔霍夫第一定律：
最后计算气隙的B
B=Φ/S
B左=0.00135/（0.07²*1.05）=0.2623T
B右=0.00113/（0.07²*1.05）=0.2196T
原作者：硬件工程师Jack
