MOS管在绝缘栅型场效应管中，目前常用二氧化硅作金属铝（Al）栅极和
半导体之间的绝缘层，称为金属一氧化物-半导体场效应晶体管，简称为MOSFET或者MOS管。
G,D,S极怎么区分
G极是比较好区分的，大家一眼就能区分。
不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是S极。
不论是P沟道还是N沟道，单独引线的那边就是D极。
N,P沟道如何区分
箭头指向G极的就是N沟道。
箭头背向G极的就是P沟道。
寄生二极管方向
N沟道，由S极指向D极。
P沟道，由D极指向S极。
如果觉得上面两条不是很好记，教大家一个识别方法：不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的，上面图片已经标出来了可以看一下。
MOS管导通条件
N沟道：Ug>Us时导通。（简单认为）Ug=Us时截止。
P沟道：Ug
注意一点，MOS管做开关器件的时候，输入输出一定不能接反，接反的寄生二极管一直处于导通状态，MOS本身就失去开关的作用了。
万用表区分N,P沟道
将万用表调至“二极管档”。
红表笔（+极）接D极，红表笔（+极）接S极：假设，二极体值低于0.7V以下。然后我们交换表笔，黑表笔（-极）接D极，红表笔（+极）接S极：假设，二极体值高于1.2V以上。那么我们可以判断，这个为➣PMOS。如果两次测量结果和我们的假设相反，则可以判断为➣NMOS。
整理一下上面描述区分P,N沟道方法的逻辑，DS极之间的寄生二极管才是关键！换句话说，我们就是依靠测量这个寄生二极管的导通方向来判断P,N沟道的。
MOS内部工作原理
在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N 区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。这就构成了一个N沟道增强型MOS管。显然它的栅极和其它电极间是绝缘的。
同样用上述相同的方法在一块掺杂浓度较低的N型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的P 区，及上述相同的栅极制作过程，就制成为一个P沟道增强型MOS管。
增强型MOS管的漏极D和源极S之间有两个背靠背的PN结。当栅-源电压VGS=0时，即使加上漏-源电压VDS，总有一个PN结处于反偏状态，漏-源极间没有导电沟道（没有电流流过），所以这时漏极电流ID=0。此时若在栅-源极间加上正向电压，即VGS＞0，则栅极和硅衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个栅极指向P型硅衬底的电场，由于氧化物层是绝缘的，栅极所加电压VGS无法形成电流，氧化物层的两边就形成了一个电容，VGS等效是对这个电容充电，并形成一个电场，随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在这个电容的另一边就聚集大量的
电子并形成了一个从漏极到源极的N型导电沟道，当VGS大于管子的开启电压VT（一般约为 2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID，我们把开始形成沟道时的栅-源极电压称为开启电压，一般用VT表示。控制栅极电压VGS的大小改变了电场的强弱，就可以达到控制漏极电流ID的大小的目的，这也是MOS管用电场来控制电流的一个重要特点，所以也称之为场效应管。
知识点汇总
原作者：cooldog007 智芯Player
