IGBT大功率器件实用篇

回顾一下IGBT的工作原理，首先Gate控制MOSFET导通，产生Drain-to-Source的电流，而这个电流同时也是BJT的基区电流(Ib)，而Ib*Rb就是BJT的Vbe，所以只要MOSFET一旦turn-on，这个Vbe一定很容易就大于0.7V了，所以这个BJT的Vbe就导通了，此时BJT管就导通进入放大区了(发射结正偏，集电结反偏)。
IGBT里面有一个天然寄生的NPNP晶闸管，这个和CMOS的闩锁效应一个道理。所以需要分别控制两个BJT的Gamma(共发射极电流放大系数)，最好的方式就是Vbe短接，这就是为什么IGBT都需要把contact从Emitter延伸到Body里面去。
首先，我们看到比较多的都是N型IGBT，那么有没有P型IGBT？答案肯定是有，为啥不用呢？其实就是跟CMOS之前一样，为啥只有NMOS？因为PMOS电阻大啊！同样的道理，P-IGBT的on-state阻抗太高，Switch loss太高。而且P-IGBT更容易Latch-up，也就是SOA太窄了。