为什么我们不能使用1个或2个具有更高额定值的MOSFET呢？

如果我理解正确，请参阅描述如何使用参考设计STDES-EVT001V1的用户手册UM2647 。
半桥栅极驱动器因其高电流能力（4 A 灌电流/拉电流）而被选中。
ST 产品组合提供具有三个半桥栅极驱动器但具有较低电流能力的单芯片。
使用 STripFET™ F6 技术开发的选定 N 沟道STP100N8F6具有非常低的 RDS(on)。
更多功率 MOSFET 的并联允许管理高功率。
事实上，在功率器件中，最大电流受耗散限制，而不是器件的最大额定值。