本文档是关于基于ARM® Cortex®-M0+ 内核进阶型的超低功耗
单片机 STM32L011x3,STM32L011x4的 数据手册。
特征：
超低功率片状
一1.65V至3.6V
电源
-40至125摄氏度的温度范围
0.23μA待机模式(2个唤醒引脚)
0.29μA停止模式(16条唤醒线)
0.54μA停止模式+rtc+2KB内存
固位
运行模式下降至76μA/MHz
5μ的唤醒时间(从Flash内存)
41μA 12位模数转换器10 KSPS
核心：ARM 832位Cortex-M0+
-从32千赫至最大32兆赫。
-0.95 DMIPS/MHz
重置和供应管理
一超安全低功耗BOR(通电复位)
有5个可选择的阈值
-超低功率POR/PDR
可编程电压检测器(PVD)
时钟源
0到32 MHz外部时钟
-32 kHz RTC振荡器的校准
一高速内部16 mhz工厂修剪RC
(+/-1%)
-INTEMAL低功耗37 kHz RC
-国际多速低功耗65千赫至
4.2 MHz RC
CPU时钟锁相环
