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zhongnian

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擅长:MEMS/传感技术
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用一个硅MOSFET桥获得基线Qrr测量值

测量一个同步降压转换器中的反向恢复不太容易。电流探头太大,并且会大幅增加功率级环路中的电感。而且电流探头的带宽也不够。使用一个分流电阻器怎么样?这听起来是可行的,不过你需要确保这个器件不会引入过大的环路电感。我找到了几个电阻值在10mΩ,并且具有“低电感”的电阻器。我很想把这个器件放在同步FET的源极上,不过会有两个问题:分流电阻器上会出现栅极驱动电流,以及恢复和负载电流。这个分流电阻器将增加电感,会由于高di/dt电流而影响到下桥栅极驱动。其中一个解决方案就是将分流电阻器放在上桥MOSFET的漏极内,这样的话,分流电阻器就不会影响到栅极驱动了。Vishay VCS1625/Y08500R01000F9R就具有这样的功能—它内置有开尔文连接,并且具有能够减少电感的结构…

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