本帖最后由 HTPH 于 2022-5-8 15:22 编辑
如附件，利用氮化镓的高速开关特性。解决上升及关断的时间问题。
传统的硅材料管子,受限于体内寄生参数.速度上跑不快.
氮化镓的dv/dt远大于硅MOSFET. 利用这一特点可以很好地将氮化镓管子应于对上升沿或下降沿敏感的客户.
下图是一个说明,我们都知GAN的速试比SIC快,SIC比硅管愉快.
本例中就与SIC的MOSFET对比下
本图中,对比的是ROHM公司等同内阻同电压的产品,可以明显看到
上升的速度时间完全不一样,这进一步使得在损耗上有一定的差距
下面就大家关心的原理图介绍下.
采用50毫欧的氮化镓TP65H050G4WS可实现3000W的产品设计.
只需要二只管子.
而采用硅管,大多设计是采用并联结构来达到高效率,这样成本上也会大大提高.
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