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如何在STM32CubeMx环境中去移植easyflash呢

如何在STM32CubeMx环境中去移植easyflash呢?有哪些移植步骤呢?

回帖(1)

李莉

2021-11-26 15:45:17
STM32CubeMx开发之路—移植easyflash

  运行环境




  • Windows10
  • STM32CubeMX Version 5.4.0
  • Keil5(MDK5) Version 5.28.0.0
  • 硬件开发板 F103RB-NUCLEO

  简介

本例程主要讲解如何移植easyflash.
  STM32CubeMx基本配置

基础配置过程请参考 STM32CubeMx开发之路—配置第一个项目
  使用printf功能

重定向printf的过程请参考 STM32CubeMx开发之路—3发送USART数据和printf重定向
本例程不需要其他什么外设资源, 配置printf()主要是方便我们调试.
下载easyflash源码

下载EasyFlash源码
会得到一个源码的仓库, 如下图所示
  




注意: 源码的说明文档里面已经说明了如何使用这个库, 大家也可以参考这个说明进行移植, 我这儿根据自己的移植思路针对STM32使用HAL库做移植说明.
  在自己的代码中添加easyflash所需要的文件




  • 将EasyFlash源码源码中的easyflash文件夹复制到自己的工程中, 如下图:

  




代码修改




  • 添加easyflash的资源文件夹, 如下图:

  







  • 添加下面4个文件文件
    easyflash/src/easyflash.c
    easyflash/src/ef_env.c
    easyflash/src/ef_utils.c
    easyflash/port/ef_port.c
  • 如图:

  




  







  • 添加路径, 如图

  







  • 添加好后, 如图:

  




  


  • 编译

  







  • 会发现有很多错误, 先不要慌, 出现错误是因为我们还没有进行配置的
  • 打开ef_cfg.h文件进行配置, 具体怎么修改见下图:
  • 随便写个版本本号, 我写的是0

  







  • 根据实际情况填写最小擦除粒度, 我是用的是F103rb所以我写的是1024, 如果你使用的是F103ze就应该填2048,根据实际情况进行填写
  • EF_WRITE_GRAN填32(上面有注释,如果是stm32f4就要填8)

  







  • 填写easyflash的开始地址,我划分的分区是后面64K, 所以我填的是(64 * EF_ERASE_MIN_SIZE + 0x08000000)
  • ENV_AREA_SIZE填写(EF_ERASE_MIN_SIZE * 2)
  • #define LOG_AREA_SIZE因为我没有使用到, 所以我就把它注释掉了
  • 如下图:

  




  


  • 打开ef_port.c文件,就下来配置接口
  • 主要实现一下几个函数的接口
  • ef_port_init(如果使用FAL, 则需要配置,本例程不需要配置)
  • ef_port_read
  • ef_port_erase
  • ef_port_write
  • 下面我已经写好了, 大家可以直接复制使用

  


  • 1.添加头文件, 在最上面添加#include "main.h"

  




  


  • 2.添加读函数


EfErrCode ef_port_read(uint32_t addr, uint32_t *buf, size_t size) {
    EfErrCode result = EF_NO_ERR;


    /* You can add your code under here. */
    uint8_t *buf_8 = (uint8_t *)buf;
    size_t i;
    for (i = 0; i < size; i++, addr ++, buf_8++)
    {
      *buf_8 = *(uint8_t *) addr;
    }
    return result;
}





  


  • 3.添加擦除函数


EfErrCode ef_port_erase(uint32_t addr, size_t size) {
    EfErrCode result = EF_NO_ERR;


    /* make sure the start address is a multiple of EF_ERASE_MIN_SIZE */
    EF_ASSERT(addr % EF_ERASE_MIN_SIZE == 0);


    /* You can add your code under here. */
    HAL_FLASH_Unlock();


    /* 擦除FLASH*/
    FLASH_EraseInitTypeDef FlashSet;
    FlashSet.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
    FlashSet.PageAddress = addr;
    FlashSet.NbPages = (size + EF_ERASE_MIN_SIZE -1)/ EF_ERASE_MIN_SIZE;


    /*设置PageError,调用擦除函数*/
    uint32_t PageError = 0;
    HAL_FLASHEx_Erase(&FlashSet, &PageError);


    HAL_FLASH_Lock();
    return result;
}





  


  • 4.添加写函数


EfErrCode ef_port_write(uint32_t addr, const uint32_t *buf, size_t size) {
    EfErrCode result = EF_NO_ERR;


    /* You can add your code under here. */
    size_t i;
    uint32_t read_data;


    HAL_FLASH_Unlock();
    for (i = 0; i < size; i += 4, buf++, addr += 4)
    {
      /* write data */
      HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, addr, *buf);
      read_data = *(uint32_t *)addr;
      /* check data */
      if (read_data != *buf)
      {
        result = EF_WRITE_ERR;
        break;
      }
    }
   HAL_FLASH_Lock();
    return result;
}





  


  • 修改ef_port.c的向量表, 添加要使用的变量
  • 如下图:

  




  写测试程序




  • 在主函数中添加#include "easyflash.h"头文件
  • 在主函数添加如下测试代码:


  /* USER CODE BEGIN 2 */
  unsigned int Reboot_Time = 0;
  if(easyflash_init() == EF_NO_ERR)                         // 初始化成功
  {
    ef_get_env_blob("reboot_time", &Reboot_Time, 8, NULL);  // 读出reboot_time的值
  }
  Reboot_Time++;                                            // reboot_time的值加1


  ef_set_env_blob("reboot_time",&Reboot_Time,8);            // 保存reboot_time的值
  printf("Reboot_Time is %dn",Reboot_Time);                // 打印reboot_time的值
  /* USER CODE END 2 */





  测试输出




  • 打开串口调试助手
  • 按复位按键, 会发现每次复位之后咱们存的值会增加1, 说明测试成功!

  

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