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SBT30100VDC在TO-263封装里采用的2个芯片，其尺寸都是94MIL，是一款低压降肖特基二极管。SBT30100VDC的浪涌电流Ifsm为250A，漏电流(Ir)为8uA，其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。SBT30100VDC采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。SBT30100VDC的电性参数是：正向电流(Io)为30A，反向耐压为100V，正向电压(VF)为0.52V，恢复时间(Trr)为5nS，其中有3条引线。
SBT30100VDC参数描述
型号：SBT30100VDC
封装：TO-263
特性：低压降肖特基二极管
电性参数：30A，100V
芯片材质：金属硅芯片
正向电流(Io)：30A
芯片个数：2
正向电压(VF)：0.52V
芯片尺寸：94MIL
浪涌电流Ifsm：250A
漏电流(Ir)：8uA
工作温度：-65~+150℃
恢复时间(Trr)：<5nS
引线数量：3
SBT30100VDC贴片封装系列。它的本体长度为9.5mm，加引脚长度为15.9mm，宽度为10.69mm，高度为4.85mm，脚间距为2.54mm。SBT30100VDC具有低正向压降、可靠的高温操作、最柔和快速的切换能力、无铅表面处理等特性。
以上就是关于SBT30100VDC-ASEMI低压降肖特基二极管SBT30100VDC的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产，致力于半导体行业，专注电源领域。
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