1、产品概述
EN-6500A功率器件动态参数测试系统是由西安易恩电气科技有限公司自主研制、生产的半导体分立器件动态参数测试的专用设备,通过使用更换不同的测试工装可以对不同封装的半导体器件进行非破坏性瞬态测试,通过软件切换可以对不同器件进行动态参数测试。可用于快恢复二极管、IGBT、MOSFET的测试。测试原理符合国军标,系统集成度高,性能稳定,具有升级扩展潜能和良好的人机交互。
2、规格环境
工作电压:三相五线制AC380V±10%,或单相三线制AC220V±10%;
电网频率:50Hz±1Hz;
海拔高度:海拔不超过1000m;
温度:储存环境温度 -20℃~60℃;
工作环境温度:-5℃~40℃;
防护:无较大灰尘,腐蚀或爆炸性气体,导电粉尘等空气污染的损害;
3、系统功能
测试系统可对各类型二极管、MOSFET、IGBT等半导体分立器件的各项动态参数进行测试。
开通特性测试单元:开通时间ton、上升时间tr、开通延迟时间td(on)、开通损耗Eon;
关断特性测试单元:关断时间toff、下降时间tf、开通延迟时间td(off)、开通损耗Eoff;
主要参数 测试范围 精度要求
集射极电压Vce 100~3300V 100~500V±2%±2V
500~1000V±2%±5V
1000~3300V±2%±10V
集射极电流Ic 20~300A 20~100A±2%±1A
100~300A±2%±2A
栅极电压Vge -30V~30V -20~0V±1%±0.1V;
0~30V±1%±0.1V
脉冲宽度tp 1μs~200μs 动态测试时需满足在脉宽条件下可得到稳定可测的波形
栅极电阻Rg 2,3.3,4.7,6.8,10,15,20,33,47,68 10个阻值,阻值可任意排列组合
负载电感值L 100-2000μH 100uH、200μH、500μH、1000μH、2000μH可自动切换;相应感值档需满足对应测试电流能力
开通/关断时间ton、toff 10~1000ns 10ns~100ns±2%±1ns
100ns~1us±2%±5ns
开通/关断延迟td(on)、td(off) 10~1000ns 10ns~100ns±2%±1ns
100ns~1us±2%±5ns
上升/下降时间 tr、tf 10~1000ns 10ns~100ns±2%±1ns
100ns~1us±2%±5ns
开通/关断能量Eon、Eoff 1~5000mJ 0.1~10mJ±3%±0.1mJ
10~100mJ±3%±1mJ
100~500mJ±3%±5mJ
1、产品概述
EN-6500A功率器件动态参数测试系统是由西安易恩电气科技有限公司自主研制、生产的半导体分立器件动态参数测试的专用设备,通过使用更换不同的测试工装可以对不同封装的半导体器件进行非破坏性瞬态测试,通过软件切换可以对不同器件进行动态参数测试。可用于快恢复二极管、IGBT、MOSFET的测试。测试原理符合国军标,系统集成度高,性能稳定,具有升级扩展潜能和良好的人机交互。
2、规格环境
工作电压:三相五线制AC380V±10%,或单相三线制AC220V±10%;
电网频率:50Hz±1Hz;
海拔高度:海拔不超过1000m;
温度:储存环境温度 -20℃~60℃;
工作环境温度:-5℃~40℃;
防护:无较大灰尘,腐蚀或爆炸性气体,导电粉尘等空气污染的损害;
3、系统功能
测试系统可对各类型二极管、MOSFET、IGBT等半导体分立器件的各项动态参数进行测试。
开通特性测试单元:开通时间ton、上升时间tr、开通延迟时间td(on)、开通损耗Eon;
关断特性测试单元:关断时间toff、下降时间tf、开通延迟时间td(off)、开通损耗Eoff;
主要参数 测试范围 精度要求
集射极电压Vce 100~3300V 100~500V±2%±2V
500~1000V±2%±5V
1000~3300V±2%±10V
集射极电流Ic 20~300A 20~100A±2%±1A
100~300A±2%±2A
栅极电压Vge -30V~30V -20~0V±1%±0.1V;
0~30V±1%±0.1V
脉冲宽度tp 1μs~200μs 动态测试时需满足在脉宽条件下可得到稳定可测的波形
栅极电阻Rg 2,3.3,4.7,6.8,10,15,20,33,47,68 10个阻值,阻值可任意排列组合
负载电感值L 100-2000μH 100uH、200μH、500μH、1000μH、2000μH可自动切换;相应感值档需满足对应测试电流能力
开通/关断时间ton、toff 10~1000ns 10ns~100ns±2%±1ns
100ns~1us±2%±5ns
开通/关断延迟td(on)、td(off) 10~1000ns 10ns~100ns±2%±1ns
100ns~1us±2%±5ns
上升/下降时间 tr、tf 10~1000ns 10ns~100ns±2%±1ns
100ns~1us±2%±5ns
开通/关断能量Eon、Eoff 1~5000mJ 0.1~10mJ±3%±0.1mJ
10~100mJ±3%±1mJ
100~500mJ±3%±5mJ
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