今天的智能手机和平板电脑内均装有射频（RF）前端模块（FEM），一般包括功率放大器（PA）、开关、可调谐电容器和过滤器。射频绝缘体上硅（RF SOI）等技术可支持移动设备调整和获取蜂窝信号——在更广泛的区域为无线设备提供持续强劲且清晰的网络连接。
移动市场对RF SOI的追捧持续升温，因为它以高性价比实现了低插入损耗，在广泛的频段内实现低谐波和高线性度。RF SOI是一个双赢的技术选择，能够提高智能手机和平板电脑的性能和数据传输速度，同时有望在物联网中发挥关键作用。
对于RF芯片制造商而言，RF SOI为RF前端设计中带来了芯片设计和集成的优势。相比其他缺乏规模性和集成能力的昂贵技术，该技术对于RF前端模块解决方案可谓是低成本的最佳选择。此外，RF SOI将多个RF元件集成到一个单一芯片上，不占用电路板的宝贵空间，从而为设计师提供了设计灵活性。
这种集成可以减少芯片数量，缩小移动应用尺寸，有助于手机制造商设计出更简单的射频模块，同时具备客户所期望的先进功能。与其他技术相比，在RF前端应用使用RF SOI技术将为移动设备带来同等或更好的线性度和更低的插入损耗，也就意味着延长电池寿命，减少电话掉线，提高数据传输速率。
凭借创新的射频架构，SOI提供革新RF前端和WAN RFSOCs的强大性能
更多好消息将令RF市场参与者们雀跃不已。FD-SOI等技术的独特属性和性能将促进RF电路创新，硅技术将会实现前所未有的集成水平。FDSOI的低电压运行和良好偏压功能是其中的关键，对Vdd的动态控制以及良好偏压技术不仅能够降低整体功耗，还能优化RF线路运行，而体硅技术难以与之比肩。
在设计复杂的片上系统（SoC）时，该技术的另一个优势是集成多功能，能够缩小尺寸和简化包装，并更具成本效益；而在能耗方面，它可提高物联网应用的效率，因此十分切合市场的经济性需求，并能实时应对不断变化的网络挑战。虽然这些新兴标准（如5G网络）尚需若干年才能成熟，但我们已经看到，诸如FDSOI/ RFSOI等新技术在解决以低能耗实现高速/带宽系统难题时所展现的优势已引起了广泛瞩目。
毋庸置疑，我们的网络需求将节节攀升，基础通讯网络将比以往任何时候都显得重要，市场正迫不及待地需要更高速度。移动世界的号角已经响起，对于设备制造商和组件设计者们而言，现在正是充分利用RF SOI技术的设计灵活性、强大功能和供应（产量保证）的最佳时机。
今天的智能手机和平板电脑内均装有射频（RF）前端模块（FEM），一般包括功率放大器（PA）、开关、可调谐电容器和过滤器。射频绝缘体上硅（RF SOI）等技术可支持移动设备调整和获取蜂窝信号——在更广泛的区域为无线设备提供持续强劲且清晰的网络连接。
移动市场对RF SOI的追捧持续升温，因为它以高性价比实现了低插入损耗，在广泛的频段内实现低谐波和高线性度。RF SOI是一个双赢的技术选择，能够提高智能手机和平板电脑的性能和数据传输速度，同时有望在物联网中发挥关键作用。
对于RF芯片制造商而言，RF SOI为RF前端设计中带来了芯片设计和集成的优势。相比其他缺乏规模性和集成能力的昂贵技术，该技术对于RF前端模块解决方案可谓是低成本的最佳选择。此外，RF SOI将多个RF元件集成到一个单一芯片上，不占用电路板的宝贵空间，从而为设计师提供了设计灵活性。
这种集成可以减少芯片数量，缩小移动应用尺寸，有助于手机制造商设计出更简单的射频模块，同时具备客户所期望的先进功能。与其他技术相比，在RF前端应用使用RF SOI技术将为移动设备带来同等或更好的线性度和更低的插入损耗，也就意味着延长电池寿命，减少电话掉线，提高数据传输速率。
凭借创新的射频架构，SOI提供革新RF前端和WAN RFSOCs的强大性能
更多好消息将令RF市场参与者们雀跃不已。FD-SOI等技术的独特属性和性能将促进RF电路创新，硅技术将会实现前所未有的集成水平。FDSOI的低电压运行和良好偏压功能是其中的关键，对Vdd的动态控制以及良好偏压技术不仅能够降低整体功耗，还能优化RF线路运行，而体硅技术难以与之比肩。
在设计复杂的片上系统（SoC）时，该技术的另一个优势是集成多功能，能够缩小尺寸和简化包装，并更具成本效益；而在能耗方面，它可提高物联网应用的效率，因此十分切合市场的经济性需求，并能实时应对不断变化的网络挑战。虽然这些新兴标准（如5G网络）尚需若干年才能成熟，但我们已经看到，诸如FDSOI/ RFSOI等新技术在解决以低能耗实现高速/带宽系统难题时所展现的优势已引起了广泛瞩目。
毋庸置疑，我们的网络需求将节节攀升，基础通讯网络将比以往任何时候都显得重要，市场正迫不及待地需要更高速度。移动世界的号角已经响起，对于设备制造商和组件设计者们而言，现在正是充分利用RF SOI技术的设计灵活性、强大功能和供应（产量保证）的最佳时机。
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