测量iCoupler数字隔离器的高压寿命
ADI公司通过部分放电以外的测试保证iCoupler®数字隔离器的工作电压。iCoupler数字隔离器在平面变压器线圈之间使用20 μm厚聚酰亚胺绝缘层,这是晶圆制造工艺的一部分(见下图)。这种制造工艺能以低成本将隔离元件与任何晶圆半导体工艺集成,实现出色的质量和可靠性。下面的剖面图显示了被厚聚酰亚胺层分开的顶部和底部线圈的匝数。聚酰亚胺材料用于绝缘已有多年的历史。过去十多年来,已有近10亿只iCoupler变压器投入使用。
为了测量这些芯片级隔离变压器的工作电压寿命,我们采用高压耐受性(HVE)设置。HVE是在更高电压水平(通常远高于额定工作电压)下通过失效时间实验完成的。
电荷注入是导致器件隔离击穿的主要HVE失效机制。电荷注入聚酰亚胺绝缘层后,可能会被限制在局部陷阱位置并释放能量。如果释放的能量足够高,聚酰亚胺内的键结就会断开,从而产生更多陷阱位置,导致更多空间电荷被捕捉。这种正反馈最终造成绝缘击穿。
通过热力学分析1,寿命L可以表示为:
其中,Et是无电荷注入发生的阈值场,m和n是比例常数。
经观测,iCoupler器件的HVE数据符合下式
其中,L是10 ppm时的失效时间,V是施加的连续高压。
下图是一个简化示例,使用来自高压受测样本的四个数据点来拟合该模型,并外推回典型工作电压。
此数据是在将样本置于800 V到2000 V rms的60 Hz共模电位差下测得的。各单元的失效时间记录并汇总于下面的威布尔图中。对于预期工作电压范围内的较低电压,失效时间通过外推获得。
iCouplerHVE寿命取决于施加的电压是交流还是直流电压。在直流电压下,静态场会阻止能量的捕捉/重组合释放。因此,直流寿命远远长于交流寿命。iCoupler产品始终指定最差情况下的交流寿命。
工作电压的均方根(rms)规格也可能引起误解。400 V rms波形实际上是一个在正560 V与负560 V之间切换的正弦波形,因此隔离栅上的最高峰峰值电压实际上是1120 V。我们已经确认,在额定电压为400 V rms的双极性波形下的寿命与在1120 V峰峰值波形下的寿命相同,与中心电压无关。由于安全至关重要,数据手册应采取保守态度以确保无潜在危险,因此iCoupler数字隔离器的数据手册指定了绝对最差情况工作电压。
测量iCoupler数字隔离器的高压寿命
ADI公司通过部分放电以外的测试保证iCoupler®数字隔离器的工作电压。iCoupler数字隔离器在平面变压器线圈之间使用20 μm厚聚酰亚胺绝缘层,这是晶圆制造工艺的一部分(见下图)。这种制造工艺能以低成本将隔离元件与任何晶圆半导体工艺集成,实现出色的质量和可靠性。下面的剖面图显示了被厚聚酰亚胺层分开的顶部和底部线圈的匝数。聚酰亚胺材料用于绝缘已有多年的历史。过去十多年来,已有近10亿只iCoupler变压器投入使用。
为了测量这些芯片级隔离变压器的工作电压寿命,我们采用高压耐受性(HVE)设置。HVE是在更高电压水平(通常远高于额定工作电压)下通过失效时间实验完成的。
电荷注入是导致器件隔离击穿的主要HVE失效机制。电荷注入聚酰亚胺绝缘层后,可能会被限制在局部陷阱位置并释放能量。如果释放的能量足够高,聚酰亚胺内的键结就会断开,从而产生更多陷阱位置,导致更多空间电荷被捕捉。这种正反馈最终造成绝缘击穿。
通过热力学分析1,寿命L可以表示为:
其中,Et是无电荷注入发生的阈值场,m和n是比例常数。
经观测,iCoupler器件的HVE数据符合下式
其中,L是10 ppm时的失效时间,V是施加的连续高压。
下图是一个简化示例,使用来自高压受测样本的四个数据点来拟合该模型,并外推回典型工作电压。
此数据是在将样本置于800 V到2000 V rms的60 Hz共模电位差下测得的。各单元的失效时间记录并汇总于下面的威布尔图中。对于预期工作电压范围内的较低电压,失效时间通过外推获得。
iCouplerHVE寿命取决于施加的电压是交流还是直流电压。在直流电压下,静态场会阻止能量的捕捉/重组合释放。因此,直流寿命远远长于交流寿命。iCoupler产品始终指定最差情况下的交流寿命。
工作电压的均方根(rms)规格也可能引起误解。400 V rms波形实际上是一个在正560 V与负560 V之间切换的正弦波形,因此隔离栅上的最高峰峰值电压实际上是1120 V。我们已经确认,在额定电压为400 V rms的双极性波形下的寿命与在1120 V峰峰值波形下的寿命相同,与中心电压无关。由于安全至关重要,数据手册应采取保守态度以确保无潜在危险,因此iCoupler数字隔离器的数据手册指定了绝对最差情况工作电压。
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