一般的二极管是利用PN结的单方向导电的特性，而肖特基二极管则是利用金属和
半导体面接触产生的势垒（barrier）整流作用，这个接触面称为“金属半导体结”，其全名应为肖特基势垒二极管，简称为肖特基二极管。现有肖特基二极管大多数是用硅（Si）半导体材料制作的。20世纪90年代以来，出现了用砷化镓（GaAs）制作SBD。
Si-SBD的特点是：正向压降PN结二极管的UDF低，仅为后者的1/2～1/3；trr约为10 ns数量级；适用于低电压（小于50 V）的功率
电子电路中（当电路电压高于100 V以上时，则要选用PIV高的SBD，其正向电阻将增大许多）。肖特基二极管属于大电流、低功耗、超高速半导体整流器件。
它的特点是反向恢复时间很短，其值可小到几纳秒，而工作电流却可达到儿千安培。肖特基二极管在电路中主要是作整流二极管、续流二极管、保护二极管以及小信号检波，主要用在低电压、大电流的电路中，如驱动器、开关
电源、变频器、逆变器等电路。对于点接触型肖特基二极管，主要用于微波
通信电路。另外，还有一种铝硅肖特基二极管，除用于开关电路外，主要用于高频电路中作检波和鉴频，代替2AP9等检波二极管。如2S11的频率可达（10的三次方）MHz，广泛用于一般的电子产品。肖特基二极管的不足之处是反向耐压较低，不适于高反压电路。
