最佳答案
(1)C2.1,C2.2低通滤波,减小高压电源文波干扰;R7.1,R7.2电阻限制通过电容C2.1、C2.2的电流,保护这2个电容不被瞬间高压击穿。
(2)V2 防止负载、及负载导线电感在可控硅(晶闸管)V1关断时产生反向高压脉冲对电路的冲击。
(3)电容C1.1,R6.1、R6.2减小可控硅V1开关时产生的电压过冲,保护V1。
(4)V4567二极管以及电阻R1.1、R1.2的作用与V2二极管类似,保护可控硅不被反生高压损坏。
(1)C2.1,C2.2低通滤波,减小高压电源文波干扰;R7.1,R7.2电阻限制通过电容C2.1、C2.2的电流,保护这2个电容不被瞬间高压击穿。
(2)V2 防止负载、及负载导线电感在可控硅(晶闸管)V1关断时产生反向高压脉冲对电路的冲击。
(3)电容C1.1,R6.1、R6.2减小可控硅V1开关时产生的电压过冲,保护V1。
(4)V4567二极管以及电阻R1.1、R1.2的作用与V2二极管类似,保护可控硅不被反生高压损坏。
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