1、不需要添加二极管的，本来D3就可以防止电容电压反向倒灌到DC-DC升压芯片了，电容也可以通过R14 R15泄放能量
2、按照你的这个要求和电路设计来看，考虑R13和Q2导通电阻压降，预留个11V的电压吧，现在就变成了为了保证最大亮度放电期间电压压降小于1V，可以根据公式i=C*du/dt这个公式来计算，则理论值电容为C=i*dt/du=1.4mF，考虑一定的裕量设计大约需要>2mF的电容来保证
3、按照你这个每秒闪光30次来看电池的输出能量是足够的，按照你这个时间来划分，可以按照充电32ms放电1ms的间隔来设计电路，电容的充放电的时间的话就根据公式来计算就可以，电容充电公式是C=V0 +（V1-V0）× [1-e(-t/RC)]，V0为初始电压，V1为充满电压设为12V，放电公式是VC=U0*e^(-t/RC),U0为初始电压，通过此来进行充电和放电电阻的设计，同时需要考虑电容本身的ESR值进行设计
1、不需要添加二极管的，本来D3就可以防止电容电压反向倒灌到DC-DC升压芯片了，电容也可以通过R14 R15泄放能量
2、按照你的这个要求和电路设计来看，考虑R13和Q2导通电阻压降，预留个11V的电压吧，现在就变成了为了保证最大亮度放电期间电压压降小于1V，可以根据公式i=C*du/dt这个公式来计算，则理论值电容为C=i*dt/du=1.4mF，考虑一定的裕量设计大约需要>2mF的电容来保证
3、按照你这个每秒闪光30次来看电池的输出能量是足够的，按照你这个时间来划分，可以按照充电32ms放电1ms的间隔来设计电路，电容的充放电的时间的话就根据公式来计算就可以，电容充电公式是C=V0 +（V1-V0）× [1-e(-t/RC)]，V0为初始电压，V1为充满电压设为12V，放电公式是VC=U0*e^(-t/RC),U0为初始电压，通过此来进行充电和放电电阻的设计，同时需要考虑电容本身的ESR值进行设计
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852050675:
感谢你的详细回答，看了你的回答，我还有几点不明白的：1、C=i*dt/du这个公式是不是从C=It/U得来的？dt/du如何计算？2、由于设计体积受限，最多只能容纳450uF的电容，那我是否可以通过提高电容电压值来弥补电容值不足的问题？3、电容充电时，相当于12V稳压电源给电容直接充电，这个时候的充电电阻是不是就相当于电源内阻？由于内阻应该非常小，可否直接认为电容在极短时间（瞬间）完成了充电？
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安亚垒
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852050675：
1、是的啊，这个就是利用Q=CU，然后Q=It，这些来推导出来的，但是因为现在牵扯到时间和压降，因此引入dt du，dt按照你的要求时放电1ms，du是你允许的最大压降，然后计算出来电容值的啊2、把升压电路的输出电压升高是可以的啊，因为升高了你允许的du就大了，相应的电容容值需求会降低，但耐压的升高也会带来体积的增大3、电容充电时，R就是电源内阻、走线损耗和电容ESR几个的和，这个R比较小，所以RC也小充电时间会很短，充电时间短的直观标准就是瞬间电容充电电流会比较大，拉低输出电压甚至造成电源芯片故障
