【罗姆SiC-MOSFET 试用体验连载】罗姆SiC MOSFET TO-247-4L 半桥电路评估板双脉冲测试

``` 本帖最后由 马猛 于 2020-7-27 03:46 编辑

随着AI，IoT，5G的发展队电源需求，电动汽车以及其他系统的增长，碳化硅（SiC）功率半导体市场正在经历需求的突然激增。碳化硅有优点相当突出。是半导体公司兵家必争之地。
应用场景;   




评估板采用常见的半桥电路配置，并配有驱动电路、驱动电源、过电流保护电路及栅极信号保护电路等




评估板的主要特点如下：
 可评估 TO-247-4L 和 TO-247-3L
 单一电源（+12V）工作
 最大 150A 的双脉冲测试
 最大 500kHz 的开关工作
 支持各种电源拓扑（Buck, Boost, Half-Bridge)
 内置栅极驱动用隔离电源，可通过可变电阻调整（+12V~+23V）
 可通过跳线引脚切换栅极驱动用负偏压和零偏压
 可防止上下臂同时导通
 内置过电流保护功能（DESAT, OCP）


原理图


局部放大图


板子采用四层板设计，既复杂有检阅，错落有致、




本评估板具有多个由外部供给的电压源和信号源，因此严格遵守下面规定的开/关时序，可避免损坏等问题。

信号定义，CN202端口接12V电源。







500KHZ  CLK 信号， 用STC单片机 定时器PWM输出。




HS端口 MOSFET 的双脉冲测试原理图



测试上电顺序


负载电感自己绕制空心电感，多个电容串并联。


测试波











SCT3040KR   Electrical characteristics  









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