【罗姆SiC-MOSFET 试用体验连载】罗姆第三代沟槽栅型SiC-MOSFET（之一）

` 罗姆(ROHM)株式会社是一家半导体、电子零部件的全球知名的半导体厂商，总部所在地设在日本京都市。 "R" 是公司最初的主要产品Resistor (电阻器) 的起首字母。字母R与电阻单位"Ω"(ohm－欧姆)拼在一起，便构成ROHM。 "R"现在还代表"Reliability (可靠性) " ，始终坚持“品质第一”
SiC元器有三个最重要的特性：第一个高压特性，比硅更好一些；而是高频特性；三是高温特性。

罗姆第三代沟槽栅型SiC-MOSFET
对应TO-247-4L封装的SCT3040KR，

TO-247-3L封装的SCT3040KL 1200V 40A插件

驱动板

Sic Mosfet驱动电路要求
1. 对于驱动电路来讲，最重要的参数是门极电荷，Mosfet管的栅极输入端相当于是一个容性网络，因此器件在稳定导通时间或者关断的截止时间并不需要驱动电流，但是在器件开关过程中，栅极的输入电容需要充电和放电，此时栅极驱动电路必须提供足够大的充放电脉冲电流。如果器件工作频率越快，栅极电容的充放电时间要求越短，则要求输入的栅极电容越小，驱动的脉冲电流越大才能满足驱动要求；
2.栅极驱动电路必须合理选择一定的驱动电压，栅极的驱动电压越高，则Mosfet的感应导电沟道越大，则导通电阻越小；但是栅极驱动电压太大的话，很容易将栅极和漏极之间绝缘层击穿，造成Mosfet管的永久失效；
3.为了增加开关管的速度，减少开关管的关断时间是有必要的；且为了提高Mosfet管在关断状态下的工作可靠性，将驱动电路设计成在关断状态的时候，在栅极加上反向偏置电压，以快速释放栅极输入电容的电荷，减少了关断时间，使得驱动电路更可靠地关断Mosfet；但是反向的驱动电压会增加电路损耗，反向偏置电压最好不要超过-6V；
4.当驱动对象是全桥或者半桥电路的功率Mosfet，或者是为了提高控制电路的抗干扰能力，此时将驱动电路设计成隔离驱动电路；实现电隔离的方式可以通过磁耦合变压器和光耦合器件；但是不管采用磁耦合变压器还是光耦合器件，都要保证耦合器件的延迟时间与耦合分布电容；采用的隔离电源也必须具有高隔离、快速响应时间与低耦合电容的特性。

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马猛

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