1.半导bai体器件对温度最敏感。在高du温条件下，晶体管的H F E 随温度升高而增大， 从而引起zhi工dao作点漂移、增益不稳，造成电子仪器性能不稳定，产生漂移失效；
2.由于温度升高，使晶体管I c b o、I c e o 反向电流增大，又会使I c 电流增大。I c 增大又促使晶体I c b o、I ceo、I c 电流增加，形成恶性循环，直到晶体管烧毁，使仪器造成严重失效；
3.晶体管在低温下工作，h F E 将随温度的降低而减。在低温- 5 5 ℃条件下，一般晶体管的增益平均下降4 0 % 左右，有一些器件失去了放大能力，有一些器件造成致命失效；
4.过高温度对电容器的影响，主要是降低使用寿命，当环境温度超过电容器的允许工作温度时，硬度电容工作点，温度每升1 0 ℃，电容器的使用寿命就要降低一半。
1.半导bai体器件对温度最敏感。在高du温条件下，晶体管的H F E 随温度升高而增大， 从而引起zhi工dao作点漂移、增益不稳，造成电子仪器性能不稳定，产生漂移失效；
2.由于温度升高，使晶体管I c b o、I c e o 反向电流增大，又会使I c 电流增大。I c 增大又促使晶体I c b o、I ceo、I c 电流增加，形成恶性循环，直到晶体管烧毁，使仪器造成严重失效；
3.晶体管在低温下工作，h F E 将随温度的降低而减。在低温- 5 5 ℃条件下，一般晶体管的增益平均下降4 0 % 左右，有一些器件失去了放大能力，有一些器件造成致命失效；
4.过高温度对电容器的影响，主要是降低使用寿命，当环境温度超过电容器的允许工作温度时，硬度电容工作点，温度每升1 0 ℃，电容器的使用寿命就要降低一半。
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