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收到评估板已经一段时间了，但是忙于其他事情，更新得晚了些。为了搭建这个平台，自制了一个LC滤波板，请看下图：
图1 原理图
图2 实物图
开始搭建实验平台（接线），12V辅助电源提供给驱动板，48V接到功率输入端子DCHV和PGND，滤波板的输出接到电子负载中，PWM信号由DSP开发板提供。如下图是平台的全貌。
图3 实验平台
本次的测试是开环控制的，即固定35%、50KHZ的PWM占空比。理论输出电压是48*0.35 = 16.8V，负载我们设为0.9Ω的阻值，通过下图来看实际的输入和输出情况：
图4 输入和输出
通过电子负载示数，输出电流达到了17A。
下面使用示波器测试SIC-MOSFET管子的相关波形，电流探头一直测量电感电流。
首先，测量下管驱动波形Vgs和电感电流：
黄色 -----> 驱动波形
蓝色 -----> 电感电流
图5 下管驱动和电感电流
然后，测量上管驱动波形和电感电流：
黄色 -----> 驱动波形
蓝色 -----> 电感电流
图6 上管驱动和电感电流
从图5和图6看出，该评估板的设计真的很棒，在电流17A的情况下，MOSFET的驱动波形很好、很干净。
接下来，我们测一测VDS波形：
首先，测量下管的VDS和电感电流：
黄色 -----> Vds
蓝色 -----> 电感电流
图7 下管VDS和电感电流
然后，测量上管的VDS和电感电流：
黄色 -----> Vds
蓝色 -----> 电感电流
图8 上管VDS和电感电流
从图7和图8看出，MOSFET的VDS就不怎么好了，尖峰电压很高，并且上管的尖峰比下管的要高很多。现在的测试中输入电压只是48V，最大尖峰也才120多V，对于1200V耐压的SIC来说是绝对的安全，但是当输入电压是400V或者800V时，可能就比较危险了。所以在设计时需要注意尖峰的抑制。
补充一下，所有波形的测试是去掉了鳄鱼夹，使用接地弹簧就近测量的，探头的***扰情况是很小的。
最后，经过了半个小时的带载实验，在自然散热的情况下，测量了SIC-MOSFET的温度：
图9 温度测量
对于40mR导通电阻Ron的SIC-MOSFET来说，17A的电流发热量还是挺大，在实际应用中需要加强散热才可以。不过，1200V的SIC-MOSFET并不适合做低压大电流的应用，这里才是48V的测试，属于大材小用了。该SIC器件应该是适用于高电压、电流10-20A的场合。本次测试的PWM频率是50KHZ，但它的能力绝对不止此，后面有机会提高频率试试，比如100KHZ、200KHZ、250KHZ等等。
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